WSD100N15DN56G N-Channel 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

טייל נומער:WSD100N15DN56G

BVDSS:150 וו

ID:100A

RDSON:6mΩ

קאַנאַל:ען-קאַנאַל

פּעקל:DFN5X6-8

שיקן בליצפּאָסט צו אונדז PDF

פּראָדוקט דעטאַל

די וואָולטידזש פון WSD100N15DN56G MOSFET איז 150 וו, די קראַנט איז 100A, די קעגנשטעל איז 6mΩ, דער קאַנאַל איז N-קאַנאַל און דער פּעקל איז DFN5X6-8.

מעדיציניש מאַכט סאַפּלייז מאָספעט, פּדס מאָספעט, דראָנעס מאָספעט, עלעקטראָניש סיגערעץ מאָספעט, הויפּט אַפּפּליאַנסעס MOSFET און מאַכט מכשירים MOSFET.

סימבאָל	פּאַראַמעטער	שאַץ	וניץ
VDS	פליסן-מקור וואָולטידזש	150	V
VGS	טויער-מקור וואָולטידזש	±20	V
ID	Continuous Drain Current, V_GS@ 10V(ט_C=25℃)	100	A
IDM	פּולסעד פליסן קראַנט	360	A
EAS	איין דויפעק לאַווינע ענערגיע	400	mJ
P_D	גאַנץ מאַכט דיסיפּיישאַן ..._C=25℃)	160	W
RθJA	טערמאַל קעגנשטעל, קנופּ-אַמביאַנט	62	℃/וו
RθJC	טערמאַל קעגנשטעל, קנופּ-פאַל	0.78	℃/וו
TSTG	סטאָרידזש טעמפּעראַטור ראַנגע	-55 צו 175	℃
T_J	אַפּערייטינג קנופּ טעמפּעראַטור ראַנגע	-55 צו 175	℃

סימבאָל	פּאַראַמעטער	באדינגונגען	מין.	טיפּ.	מאַקס.	אַפּאַראַט
BV_דסס	פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש	V_GS= 0 וו, איך_D=250וA	150	---	---	V
RDS(ON)	סטאַטיק פליסן-מקור אויף-קעגנשטעל²	V_GS= 10 וו, איך_D=20 א	---	9	12	mΩ
VGS (טה)	טויער שוועל וואָולטידזש	V_GS=V_DS,איך_D=250וA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	פליסן-מקור ליקאַדזש קראַנט	V_DS=100V, V_GS=0וו, ט_J=25℃	---	---	1	uA
IGSS	טויער-מקור ליקאַדזש קראַנט	V_GS=±20V, V_DS=0וו	---	---	±100	nA
Q_g	גאַנץ גייט אָפּצאָל	V_DS=50V, V_GS= 10 וו, איך_D=20 א	---	66	---	nC
Q_gs	טויער-מקור אָפּצאָל		---	26	---
Q_gd	טויער פליסן אָפּצאָל		---	18	---
טד (אויף)	קער-אויף פאַרהאַלטן צייט	V_DD= 50 וו,V_GS=10V R_G= 2Ω, I_D=20 א	---	37	---	ns
T_r	שטיי צייט		---	98	---
טד (אַוועק)	קער-אַוועק פאַרהאַלטן צייט		---	55	---
T_f	האַרבסט צייט		---	20	---
C_איז	אַרייַנשרייַב קאַפּאַסיטאַנס	V_DS=30V, V_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
קאָס	רעזולטאַט קאַפּאַסיטאַנס		---	1730	---
C_rss	פאַרקערט אַריבערפירן קאַפּאַסיטאַנס		---	195	---