דיפפערענסעס צווישן IGBT און MOSFET

IGBT (ינסאַלייטיד גייט ביפּאָלאַר טראַנסיסטאָר) און MOSFET (מעטאַל-אַקסייד-סעמיקאָנדוקטאָר פיעלד-עפפעקט טראַנסיסטאָר) זענען צוויי פּראָסט מאַכט סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס וויידלי געניצט אין מאַכט עלעקטראָניק. כאָטש ביידע זענען יקערדיק קאַמפּאָונאַנץ אין פאַרשידן אַפּלאַקיישאַנז, זיי זענען באטייטיק אַנדערש אין עטלעכע אַספּעקץ. ונטער זענען די ערשטיק דיפעראַנסיז צווישן IGBT און MOSFET:

1. ארבעטן פּרינציפּ

- IGBT: IGBT קאַמביינז די קעראַקטעריסטיקס פון ביידע אַ BJT (ביפּאָלאַר קנופּ טראַנסיסטאָר) און אַ MOSFET, מאכן עס אַ כייבריד מיטל. עס קאָנטראָלס די באַזע פון די BJT דורך די טויער וואָולטידזש פון אַ MOSFET, וואָס אין קער קאָנטראָלס די קאַנדאַקשאַן און קאַטאָף פון די BJT. כאָטש די קאַנדאַקשאַן און קאַטאָף פּראַסעסאַז פון אַ IGBT זענען לעפיערעך קאָמפּליצירט, עס פֿעיִקייטן נידעריק קאַנדאַקשאַן וואָולטידזש לאָססעס און הויך וואָולטידזש טאָלעראַנץ.

- MOSFET: MOSFET איז אַ פעלד-ווירקונג טראַנזיסטאָר וואָס קאָנטראָלס די קראַנט אין אַ סעמיקאַנדאַקטער דורך טויער וואָולטידזש. ווען די טויער וואָולטידזש יקסידז די מקור וואָולטידזש, אַ קאַנדאַקטיוו שיכטע פארמען, אַלאַוינג קראַנט לויפן. פאַרקערט, ווען די טויער וואָולטידזש איז אונטער דער שוועל, די קאַנדאַקטיוו שיכטע פארשווינדט, און די קראַנט קענען נישט לויפן. די אָפּעראַציע פון אַ MOSFET איז לעפיערעך פּשוט, מיט שנעל סוויטשינג ספּידז.

2. אַפּפּליקאַטיאָן געביטן

- IGBT: רעכט צו זיין הויך וואָולטידזש טאָלעראַנץ, נידעריק קאַנדאַקשאַן וואָולטידזש אָנווער און שנעל סוויטשינג פאָרשטעלונג, IGBT איז דער הויפּט פּאַסיק פֿאַר אַפּלאַקיישאַנז מיט הויך מאַכט און נידעריק אָנווער אַזאַ ווי ינווערטערס, מאָטאָר דריווערס, וועלדינג מאשינען און אַנינטעראַפּטאַבאַל מאַכט סאַפּלייז (אַפּס) . אין די אַפּלאַקיישאַנז, IGBT מאַנידזשיז יפישאַנטלי הויך-וואָולטידזש און הויך-קראַנט סוויטשינג אַפּעריישאַנז.

- MOSFET: MOSFET, מיט זיין שנעל ענטפער, הויך אַרייַנשרייַב קעגנשטעל, סטאַביל סוויטשינג פאָרשטעלונג און נידעריק פּרייַז, איז וויידלי געניצט אין נידעריק-מאַכט, שנעל-סוויטשינג אַפּלאַקיישאַנז אַזאַ ווי באַשטימען-מאָדע מאַכט סאַפּלייז, לייטינג, אַודיאָ אַמפּלאַפייערז און לאָגיק סערקאַץ. . MOSFET פּערפאָרמז יקסעפּשנאַלי גוט אין נידעריק-מאַכט און נידעריק-וואָולטידזש אַפּלאַקיישאַנז.

3. פאָרשטעלונג קעראַקטעריסטיקס

- IGBT: IGBT יקסעלז אין הויך-וואָולטידזש, הויך-קראַנט אַפּלאַקיישאַנז רעכט צו זיין פיייקייט צו שעפּן באַטייטיק מאַכט מיט נידעריקער קאַנדאַקשאַן לאָססעס, אָבער עס האט סלאָוער סוויטשינג ספּידז קאַמפּערד מיט MOSFETs.

- MOSFET: MOSFETs זענען קעראַקטערייזד דורך פאַסטער סוויטשינג ספּידז, העכער עפעקטיווקייַט אין נידעריק וואָולטידזש אַפּלאַקיישאַנז און נידעריקער מאַכט לאָססעס ביי העכער סוויטשינג פריקוואַנסיז.

4. ינטערטשיינדזשאַביליטי

IGBT און MOSFET זענען דיזיינד און געוויינט פֿאַר פאַרשידענע צוועקן און קענען ניט זיין ינטערטשיינדזשד. די ברירה פון וואָס מיטל צו נוצן דעפּענדס אויף די ספּעציפיש אַפּלאַקיישאַן, פאָרשטעלונג רעקווירעמענץ און פּרייַז קאַנסידעריישאַנז.

מסקנא

IGBT און MOSFET זענען באטייטיק אַנדערש אין טערמינען פון אַרבעט פּרינציפּ, אַפּלאַקיישאַן געביטן און פאָרשטעלונג קעראַקטעריסטיקס. פארשטאנד פון די דיפעראַנסיז העלפּס אין סאַלעקטינג די צונעמען מיטל פֿאַר מאַכט עלעקטראָניק דיזיינז, ינשורינג אָפּטימאַל פאָרשטעלונג און פּרייַז-עפעקטיווקייַט.