הקדמה צו די אַרבעט פּרינציפּ פון קאַמאַנלי געניצט הויך-מאַכט MOSFETs

הייַנט אויף די קאַמאַנלי געניצט הויך-מאַכטMOSFETצו בעקיצער באַקענען זייַן אַרבעט פּרינציפּ. זען ווי עס ריאַלייזיז זייַן אייגן אַרבעט.

מעטאַל-אַקסייד-סעמיקאָנדוקטאָר וואָס איז, מעטאַל-אַקסייד-סעמיקאָנדוקטאָר, פּונקט, דעם נאָמען באשרייבט די סטרוקטור פון די MOSFET אין די ינאַגרייטיד קרייַז, דאָס איז: אין אַ זיכער סטרוקטור פון די סעמיקאַנדאַקטער מיטל, קאַפּאַלד מיט סיליציום דייאַקסייד און מעטאַל, די פאָרמירונג פון טויער.

די מקור און פליסן פון אַ MOSFET זענען אַפּאָוזאַבאַל, ביידע זייַנען N-טיפּ זאָנעס געשאפן אין אַ P-טיפּ באַקגייט. אין רובֿ פאלן, די צוויי געביטן זענען די זעלבע, אַפֿילו אויב די צוויי ענדס פון די אַדזשאַסטמאַנט וועט נישט ווירקן די פאָרשטעלונג פון די מיטל, אַזאַ אַ מיטל איז געהאלטן סאַמעטריקאַל.

קלאַסאַפאַקיישאַן: לויט צו די קאַנאַל מאַטעריאַל טיפּ און ינסאַלייטיד טויער טיפּ פון יעדער N-קאַנאַל און פּ-קאַנאַל צוויי; לויט די קאַנדאַקטיוו מאָדע: MOSFET איז צעטיילט אין דיפּלישאַן און ענכאַנסמאַנט, אַזוי MOSFET איז צעטיילט אין N-קאַנאַל דיפּלישאַן און ענכאַנסמאַנט; פּ-קאַנאַל דיפּלישאַן און ענכאַנסמאַנט פון פיר הויפּט קאַטעגאָריעס.

MOSFET פּרינציפּ פון אָפּעראַציע - די סטראַקטשעראַל קעראַקטעריסטיקס פוןMOSFETעס קאַנדאַקץ בלויז איין פּאָולעראַטי קאַריערז (פּאָליס) ינוואַלווד אין די קאַנדאַקטיוו, איז אַ וניפּאָלאַר טראַנזיסטאָר. קאַנדאַקטינג מעקאַניזאַם איז די זעלבע ווי די נידעריק-מאַכט MOSFET, אָבער די סטרוקטור האט אַ גרויס חילוק, נידעריק-מאַכט MOSFET איז אַ האָריזאָנטאַל קאַנדאַקטיוו מיטל, רובֿ פון די מאַכט MOSFET ווערטיקאַל קאַנדאַקטיוו סטרוקטור, אויך באקאנט ווי די VMOSFET, וואָס ימפּרוווז די MOSFET. מיטל וואָולטידזש און קראַנט וויטסטאַנד פיייקייַט. דער הויפּט שטריך איז אַז עס איז אַ שיכטע פון ​​סיליקאַ ינסאַליישאַן צווישן די מעטאַל טויער און די קאַנאַל, און דעריבער האט אַ הויך אַרייַנשרייַב קעגנשטעל, די רער קאַנדאַקץ אין צוויי הויך קאַנסאַנטריישאַנז פון n דיפיוזשאַן זאָנע צו פאָרעם אַ n-טיפּ קאַנדאַקטיוו קאַנאַל. n-קאַנאַל ענכאַנסמאַנט MOSFETs מוזן זיין געווענדט צו די טויער מיט פאָרויס פאָרורטייל, און בלויז ווען די טויער מקור וואָולטידזש איז גרעסער ווי די שוועל וואָולטידזש פון די קאַנדאַקטיוו קאַנאַל דזשענערייטאַד דורך די n-קאַנאַל MOSFET. n-קאַנאַל דיפּלישאַן טיפּ MOSFETs זענען n-קאַנאַל MOSFETs אין וואָס קאַנדאַקטינג טשאַנאַלז זענען דזשענערייטאַד ווען קיין טויער וואָולטידזש איז געווענדט (טויער מקור וואָולטידזש איז נול).

דער פּרינציפּ פון אָפּעראַציע פון ​​די MOSFET איז צו קאָנטראָלירן די סומע פון ​​"ינדוסט אָפּצאָל" דורך ניצן VGS צו טוישן די צושטאַנד פון די קאַנדאַקטיוו קאַנאַל געשאפן דורך די "ינדוסט אָפּצאָל", און דערנאָך צו דערגרייכן דעם ציל פון קאַנטראָולינג די פליסן קראַנט. אין דער פּראָדוצירן פון טובז, דורך דעם פּראָצעס פון ינסאַלייטינג שיכטע אין די ימערדזשאַנס פון אַ גרויס נומער פון positive ייאַנז, אַזוי אין די אנדערע זייַט פון די צובינד קענען זיין ינדוסט מער נעגאַטיוו אָפּצאָל, די נעגאַטיוו טשאַרדזשיז צו די הויך דורכדרונג פון ימפּיוראַטיז אין די ען. געגנט קאָננעקטעד צו די פאָרמירונג פון אַ קאַנדאַקטיוו קאַנאַל, אַפֿילו אין די VGS = 0 עס איז אויך אַ גרויס ליקאַדזש קראַנט שייַן. ווען די טויער וואָולטידזש איז פארענדערט, די סומע פון ​​אָפּצאָל ינדוסט אין דעם קאַנאַל איז אויך געביטן, און די קאַנדאַקטיוו קאַנאַל ברייט און שמאָלקייט פון דעם קאַנאַל און טוישן, און אַזוי די ליקאַדזש קראַנט שייַן מיט די טויער וואָולטידזש. קראַנט שייַן וועריז מיט די טויער וואָולטידזש.

איצט די אַפּלאַקיישאַן פוןMOSFETהאט זייער ימפּרוווד מענטשן ס לערנען, אַרבעט עפעקטיווקייַט, בשעת ימפּרוווינג אונדזער קוואַליטעט פון לעבן. מיר האָבן אַ מער ראַשאַנאַלייזד פארשטאנד פון עס דורך עטלעכע פּשוט פארשטאנד. ניט בלויז וועט זיין געוויינט ווי אַ געצייַג, מער פארשטאנד פון זייַן קעראַקטעריסטיקס, דער פּרינציפּ פון אַרבעט, וואָס וועט אויך געבן אונדז אַ פּלאַץ פון שפּאַס.