אַנאַליסיס פון וויכטיק סיבות פון MOSFET היץ דזשענעריישאַן

ען טיפּ, פּ טיפּ MOSFET אַרבעט פּרינציפּ פון די עסאַנס איז די זעלבע, MOSFET איז דער הויפּט צוגעגעבן צו די אַרייַנשרייַב זייַט פון די טויער וואָולטידזש צו הצלחה קאָנטראָלירן די רעזולטאַט זייַט פון די פליסן קראַנט, MOSFET איז אַ וואָולטידזש קאַנטראָולד מיטל, דורך די וואָולטידזש צוגעגעבן צו די טויער צו קאָנטראָלירן די קעראַקטעריסטיקס פון די מיטל, ניט ענלעך די טריאָוד צו באַשטימען צייט רעכט צו דער באַזע קראַנט געפֿירט דורך די אָפּצאָל סטאָרידזש ווירקונג, אין סוויטשינג אַפּלאַקיישאַנז, MOSFET אין סוויטשינג אַפּלאַקיישאַנז,MOSFET סוויטשינג גיכקייַט איז פאַסטער ווי אַז פון טריאָדע.

 

אין די סוויטשינג מאַכט צושטעלן, קאַמאַנלי געניצט MOSFET עפענען פליסן קרייַז, די פליסן איז קאָננעקטעד צו די מאַסע ווי איז, גערופן עפענען פליסן, עפענען פליסן קרייַז, די מאַסע איז פארבונדן צו ווי הויך די וואָולטידזש, קענען צו קער אויף, קער אַוועק די מאַסע קראַנט, איז די ידעאַל אַנאַלאָג סוויטשינג מיטל, וואָס איז דער פּרינציפּ פון די MOSFET צו טאָן סוויטשינג דעוויסעס, די MOSFET צו טאָן סוויטשינג אין די פאָרעם פון מער סערקאַץ.

 

אין טערמינען פון סוויטשינג מאַכט צושטעלן אַפּלאַקיישאַנז, דעם אַפּלאַקיישאַן ריקווייערז MOSFETs צו פּיריאַדיקלי אָנפירן, קער אַוועק, אַזאַ ווי דק-דק מאַכט צושטעלן קאַמאַנלי געניצט אין די יקערדיק באַק קאַנווערטער רילייז אויף צוויי MOSFETs צו דורכפירן די סוויטשינג פֿונקציע, די סוויטשיז אָלטערנאַטלי אין די ינדוקטאָר צו קראָם ענערגיע, מעלדונג די ענערגיע צו די מאַסע, אָפט קלייַבן הונדערטער כז אָדער אפילו מער ווי 1 מהז, דער הויפּט ווייַל די העכער די אָפטקייַט דעמאָלט, די קלענערער די מאַגנעטיק קאַמפּאָונאַנץ. בעשאַס נאָרמאַל אָפּעראַציע, די MOSFET איז עקוויוואַלענט צו אַ אָנפירער, למשל, הויך-מאַכט MOSFETs, קליין-וואָולטידזש MOSFETs, סערקאַץ, מאַכט צושטעלן איז די מינימום קאַנדאַקשאַן אָנווער פון די מאָס.

 

MOSFET פּדף פּאַראַמעטערס, MOSFET מאַניאַפאַקטשערערז האָבן הצלחה אנגענומען די RDS (ON) פּאַראַמעטער צו דעפינירן די ימפּידאַנס אויף-שטאַט, פֿאַר סוויטשינג אַפּלאַקיישאַנז, RDS (ON) איז די מערסט וויכטיק מיטל קוואַליטעט; דאַטאַשיץ דעפינירן רדס (אויף), די טויער (אָדער פאָר) וואָולטידזש ווגס און קראַנט פלאָוינג דורך די באַשטימען איז שייַכות, פֿאַר טויגן טויער פאָר, רדס (אויף) איז אַ לעפיערעך סטאַטיק פּאַראַמעטער; MOSFETs וואָס האָבן שוין אין קאַנדאַקשאַן זענען פּראָנע צו היץ דזשענעריישאַן, און סלאָולי ינקריסינג קנופּ טעמפּעראַטורעס קענען פירן צו אַ פאַרגרעסערן אין RDS (ON);MOSFET דאַטאַשיץ ספּעציפיצירן די טערמאַל ימפּידאַנס פּאַראַמעטער, וואָס איז דיפיינד ווי די פיייקייט פון די סעמיקאַנדאַקטער קנופּ פון די MOSFET פּעקל צו דיסאַפּייט היץ, און RθJC איז פשוט דיפיינד ווי די קנופּ-צו-פאַל טערמאַל ימפּידאַנס.

 

1, די אָפטקייַט איז אויך הויך, מאל איבער-פּערסוינג די באַנד, וועט גלייַך פירן צו הויך אָפטקייַט, מאָספעט אויף די אָנווער ינקריסאַז, די גרעסער די היץ, טאָן ניט טאָן אַ גוט אַרבעט פון טויגן היץ דיסיפּיישאַן פּלאַן, הויך קראַנט, די נאָמינאַל. קראַנט ווערט פון די MOSFET, די נויט פֿאַר גוט היץ דיסיפּיישאַן צו דערגרייכן; שייַן איז ווייניקער ווי די מאַקסימום קראַנט, קען זיין ערנסט היץ, די נויט פֿאַר טויגן אַגזיליערי העאַצינקס.

 

2, MOSFET סעלעקציע ערראָרס און ערראָרס אין מאַכט משפט, MOSFET ינערלעך קעגנשטעל איז נישט גאָר באַטראַכט, וועט גלייַך פירן צו אַ געוואקסן סוויטשינג ימפּידאַנס ווען דילינג מיט MOSFET באַהיצונג פּראָבלעמס.

 

3, רעכט צו קרייַז פּלאַן פּראָבלעמס, ריזאַלטינג אין היץ, אַזוי אַז די MOSFET אַרבעט אין אַ לינעאַר אַפּערייטינג שטאַט, נישט אין די סוויטשינג שטאַט, וואָס איז אַ דירעקט סיבה פון MOSFET באַהיצונג, למשל, N-MOS באַשטימען, די G- די וואָולטידזש מדרגה זאָל זיין העכער ווי די מאַכט צושטעלן מיט אַ ביסל V, אין סדר צו קענען צו גאָר קאַנדאַקשאַן, די P-MOS איז אַנדערש; אין דער אַוועק פון אַ גאָר עפענען, די וואָולטידזש קאַפּ איז אויך גרויס, וואָס וועט רעזולטאַט אין מאַכט קאַנסאַמשאַן, די עקוויוואַלענט דק ימפּידאַנס איז גרעסער, די וואָולטידזש קאַפּ וועט אויך פאַרגרעסערן, ו * איך וועט אויך פאַרגרעסערן, די אָנווער וועט פירן צו היץ.