ווי ימפּרוווד פּאַקקאַגע MOSFETs אַרבעט

ווען דיזיינינג אַ סוויטשינג מאַכט צושטעלן אָדער מאָטאָר פאָר קרייַז ניצן ענקאַפּסאַלייטיד MOSFETs, רובֿ מענטשן באַטראַכטן די אויף-קעגנשטעל פון די מאָס, די מאַקסימום וואָולטידזש, אאז"ו ו, די מאַקסימום קראַנט, אאז"ו ו, און עס זענען פילע וואָס באַטראַכטן בלויז די סיבות. אַזאַ סערקאַץ קען אַרבעטן, אָבער זיי זענען נישט ויסגעצייכנט און זענען נישט ערלויבט ווי פאָרמאַל פּראָדוקט דיזיינז.

די פאלגענדע איז אַ ביסל קיצער פון די באַסיקס פון MOSFET אוןMOSFETשאָפער סערקאַץ, וואָס איך אָפּשיקן צו אַ נומער פון מקורים, ניט אַלע אָריגינעל. אַרייַנגערעכנט די הקדמה פון MOSFETs, קעראַקטעריסטיקס, פאָר און אַפּלאַקיישאַן סערקאַץ. פּאַקקאַגינג MOSFET טייפּס און קנופּ MOSFET איז אַ FET (אן אנדער JFET), קענען זיין מאַניאַפאַקטשערד אין ענכאַנסט אָדער דיפּלישאַן טיפּ, פּ-קאַנאַל אָדער N-קאַנאַל אַ גאַנץ פון פיר טייפּס, אָבער די פאַקטיש אַפּלאַקיישאַן פון בלויז ענכאַנסט N-קאַנאַל MOSFET און ענכאַנסט פּ -קאַנאַל MOSFET, אַזוי יוזשאַוואַלי ריפערד צו ווי NMOS, אָדער PMOS רעפערס צו די צוויי מינים.

ווי פֿאַר וואָס ניט נוצן דיפּלישאַן טיפּ MOSFETs, עס איז נישט רעקאַמענדיד צו באַקומען צו די דנאָ פון עס. פֿאַר די צוויי טייפּס פון ענכאַנסמאַנט MOSFETs, NMOS איז מער קאַמאַנלי געניצט ווייַל פון זיין נידעריק קעגנשטעל און יז פון פאַבריקיישאַן. אַזוי סוויטשינג מאַכט צושטעלן און מאָטאָר פאָר אַפּלאַקיישאַנז, בכלל נוצן NMOS. די פאלגענדע הקדמה, אָבער אויך מערNMOS- באזירט.

MOSFETs האָבן פּעראַסיטיק קאַפּאַסאַטאַנס צווישן די דריי פּינס, וואָס איז ניט דארף, אָבער רעכט צו לימיטיישאַנז פון מאַנופאַקטורינג פּראָצעס. די עקזיסטענץ פון פּעראַסיטיק קאַפּאַסאַטאַנס אין די פּלאַן אָדער סעלעקציע פון ​​די פאָר קרייַז צו זיין עטלעכע קאָנפליקט, אָבער עס איז קיין וועג צו ויסמייַדן, און דעמאָלט דיסקרייבד אין דעטאַל. ווי איר קענען זען אויף די MOSFET סכעמאַטיש, עס איז אַ פּעראַסיטיק דייאָוד צווישן די פליסן און די מקור.

דאָס איז גערופן די גוף דייאָוד און איז וויכטיק אין דרייווינג ינדוקטיווע לאָודז אַזאַ ווי מאָטאָרס. דורך דעם וועג, די גוף דייאָוד איז בלויז פאָרשטעלן אין יחידMOSFETsאון איז יוזשאַוואַלי ניט פאָרשטעלן ין די ינאַגרייטיד קרייַז שפּאָן. MOSFET ON קעראַקטעריסטיקס אויף מיטל אַקטינג ווי אַ באַשטימען, וואָס איז עקוויוואַלענט צו אַ באַשטימען קלאָוזשער.

נמאָס קעראַקטעריסטיקס, וגס גרעסער ווי אַ זיכער ווערט וועט פירן, פּאַסיק פֿאַר נוצן אין דעם פאַל ווען די מקור איז גראָונדעד (נידעריק-סוף פאָר), ווי לאַנג ווי די טויער וואָולטידזש פון 4וו אָדער 10וו. PMOS קעראַקטעריסטיקס, Vgs ווייניקער ווי אַ זיכער ווערט וועט פירן, פּאַסיק פֿאַר נוצן אין דעם פאַל ווען די מקור איז קאָננעקטעד צו VCC (הויך-סוף פאָר). אָבער, כאָטש PMOS קענען זיין לייכט געוויינט ווי אַ הויך-סוף שאָפער, NMOS איז יוזשאַוואַלי געניצט אין הויך-סוף דריווערס רעכט צו דער גרויס קעגנשטעל, הויך פּרייַז און ווייניק פאַרבייַט טייפּס.

פּאַקקאַגינג MOSFET סוויטשינג רער אָנווער, צי עס איז נמאָס אָדער פּמאָס, נאָך קאַנדאַקשאַן עס איז אויף-קעגנשטעל יגזיסץ, אַזוי אַז די קראַנט וועט פאַרנוצן ענערגיע אין דעם קעגנשטעל, דעם טייל פון די קאַנסומד ענערגיע איז גערופן קאַנדאַקשאַן אָנווער. סעלעקטינג אַ MOSFET מיט אַ קליין אויף-קעגנשטעל וועט רעדוצירן די קאַנדאַקשאַן אָנווער. נאָוואַדייַס, די אויף-קעגנשטעל פון קליין מאַכט מאָספעט איז בכלל אַרום טענס פון מיליאָהמס, און אַ ביסל מיליאַהמס זענען אויך בנימצא. מאָס מוזן נישט זיין געענדיקט אין אַ רעגע ווען עס קאַנדאַקץ און שנייַדן אַוועק. די וואָולטידזש אויף ביידע זייטן פון די מאָס האט אַ פּראָצעס פון דיקריסינג, און די קראַנט פלאָוינג דורך עס האט אַ פּראָצעס פון ינקריסינג. בעשאַס דעם צייַט, די אָנווער פון די MOSFET איז דער פּראָדוקט פון די וואָולטידזש און די קראַנט, וואָס איז גערופן די סוויטשינג אָנווער. יוזשאַוואַלי די סוויטשינג אָנווער איז פיל גרעסערע ווי די קאַנדאַקשאַן אָנווער, און די פאַסטער די סוויטשינג אָפטקייַט, די גרעסערע די אָנווער. דער פּראָדוקט פון וואָולטידזש און קראַנט אין די רעגע פון ​​קאַנדאַקשאַן איז זייער גרויס, ריזאַלטינג אין גרויס לאָססעס.

פאַרקירצן די סוויטשינג צייט ראַדוסאַז די אָנווער אין יעדער קאַנדאַקשאַן; רידוסינג די סוויטשינג אָפטקייַט ראַדוסאַז די נומער פון סוויטשיז פּער אַפּאַראַט צייַט. ביידע פון ​​די אַפּראָוטשיז קענען רעדוצירן די סוויטשינג לאָססעס. דער פּראָדוקט פון וואָולטידזש און קראַנט אין די רעגע פון ​​קאַנדאַקשאַן איז גרויס, און די ריזאַלטינג אָנווער איז אויך גרויס. פאַרקירצן די סוויטשינג צייט קענען רעדוצירן די אָנווער אין יעדער קאַנדאַקשאַן; רידוסינג די סוויטשינג אָפטקייַט קענען רעדוצירן די נומער פון סוויטשיז פּער אַפּאַראַט צייַט. ביידע פון ​​די אַפּראָוטשיז קענען רעדוצירן די סוויטשינג לאָססעס. דרייווינג קאַמפּערד מיט בייפּאָולער טראַנזיסטערז, עס איז בכלל געגלויבט אַז קיין קראַנט איז פארלאנגט צו ווענדן אויף אַ פּאַקידזשד MOSFET, ווי לאַנג ווי די GS וואָולטידזש איז העכער אַ זיכער ווערט. דאָס איז גרינג צו טאָן, אָבער, מיר אויך דאַרפֿן גיכקייַט. די סטרוקטור פון די ענקאַפּסאַלייטיד MOSFET קענען זיין געזען אין דעם בייַזייַן פון פּעראַסיטיק קאַפּאַסאַטאַנס צווישן GS, GD, און די דרייווינג פון די MOSFET איז, אין פאַקט, די טשאַרדזשינג און דיסטשאַרדזשינג פון די קאַפּאַסאַטאַנס. טשאַרדזשינג די קאַפּאַסאַטער ריקווייערז אַ קראַנט, ווייַל טשאַרדזשינג די קאַפּאַסאַטער טייקעף קענען זיין געזען ווי אַ קורץ קרייַז, אַזוי די ינסטאַנטאַניאַס קראַנט וועט זיין גרעסער. דער ערשטער זאַך צו טאָן ווען סאַלעקטינג / דיזיינינג אַ MOSFET שאָפער איז די גרייס פון די ינסטאַנטאַניאַס קורץ-קרייַז קראַנט וואָס קענען זיין צוגעשטעלט.

די צווייטע זאַך צו טאָן איז אַז, בכלל געניצט אין הויך-סוף פאָר NMOS, די אויף-צייט טויער וואָולטידזש דאַרף זיין גרעסער ווי די מקור וואָולטידזש. הויך-סוף פאָר MOSFET קאַנדאַקשאַן מקור וואָולטידזש און פליסן וואָולטידזש (VCC) די זעלבע, אַזוי די טויער וואָולטידזש ווי די VCC 4 V אָדער 10 V. אויב אין דער זעלביקער סיסטעם, צו באַקומען אַ גרעסערע וואָולטידזש ווי די VCC, מיר האָבן צו ספּעשאַלייז אין בוסטינג סערקאַץ. פילע מאָטאָר דריווערס האָבן ינאַגרייטיד אָפּצאָל פּאַמפּס, עס איז וויכטיק צו טאָן אַז איר זאָל קלייַבן די צונעמען פונדרויסנדיק קאַפּאַסאַטאַנס צו באַקומען גענוג קורץ-קרייַז קראַנט צו פאָר די MOSFET. 4 וו אָדער 10 וו איז קאַמאַנלי געניצט אין די אויף-שטאַט וואָולטידזש פון די MOSFET, פון קורס, דער פּלאַן דאַרף האָבן אַ זיכער גרענעץ. די העכער די וואָולטידזש, די פאַסטער די אויף-שטאַט גיכקייַט און די נידעריקער די אויף-שטאַט קעגנשטעל. נאָוואַדייַס, עס זענען MOSFETs מיט קלענערער אויף-שטאַט וואָולטידזש געניצט אין פאַרשידענע פעלדער, אָבער אין 12V אָטאַמאָוטיוו עלעקטראָניש סיסטעמען, בכלל 4V אויף-שטאַט איז גענוג. MOSFET פאָר קרייַז און זייַן אָנווער.