ווי צו באַשטימען nMOSFETs און pMOSFETs

איך לויט די ריכטונג פון קראַנט לויפן

NMOSFET:ווען קראַנט פלאָוז פון די מקור (S) צו די פליסן (ד), די MOSFET איז אַ NMOSFET אין אַ NMOSFET, די מקור און פליסן זענען n-טיפּ סעמיקאַנדאַקטערז און די טויער איז אַ פּ-טיפּ סעמיקאַנדאַקטער. ווען דער טויער וואָולטידזש איז positive מיט רעספּעקט צו די מקור, אַ n-טיפּ קאַנדאַקטינג קאַנאַל איז געשאפן אויף די ייבערפלאַך פון די סעמיקאַנדאַקטער, אַלאַוינג עלעקטראָנס צו לויפן פון די מקור צו די פליסן.

PMOSFET:א MOSFET איז אַ PMOSFET ווען קראַנט פלאָוז פון די פליסן (ד) צו די מקור (S) אין אַ PMOSFET, ביידע די מקור און פליסן זענען פּ-טיפּ סעמיקאַנדאַקטערז און די טויער איז אַ n-טיפּ סעמיקאַנדאַקטער. ווען דער טויער וואָולטידזש איז נעגאַטיוו צו די מקור, אַ פּ-טיפּ קאַנדאַקטינג קאַנאַל איז געשאפן אויף די ייבערפלאַך פון די סעמיקאַנדאַקטער, אַלאַוינג האָלעס צו לויפן פון די מקור צו די פליסן (באַמערקונג אַז אין די קאַנווענשאַנאַל באַשרייַבונג מיר נאָך זאָגן אַז די קראַנט גייט פון D צו S, אָבער עס איז פאקטיש דער ריכטונג אין וואָס די האָלעס מאַך).

*** איבערגעזעצט מיט www.DeepL.com/Translator (פריי ווערסיע) ***

וו. לויט די פּעראַסיטיק דייאָוד ריכטונג

NMOSFET:ווען די פּעראַסיטיק דייאָוד איז ווייזן פֿון מקור (S) צו פליסן (ד), עס איז אַן NMOSFET. פּעראַסיטיק דייאָוד איז אַן ינטרינסיק סטרוקטור אין די MOSFET, און זיין ריכטונג קענען העלפֿן אונדז צו באַשטימען דעם טיפּ פון MOSFET.

PMOSFET:די פּעראַסיטיק דייאָוד איז אַ PMOSFET ווען עס ווייזט פון פליסן (ד) צו מקור (S).

III. לויט צו די שייכות צווישן קאָנטראָל ילעקטראָוד וואָולטידזש און עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי

NMOSFET:אַ NMOSFET קאַנדאַקץ ווען די טויער וואָולטידזש איז positive מיט רעספּעקט צו די מקור וואָולטידזש. דאָס איז ווייַל אַ positive טויער וואָולטידזש קריייץ n-טיפּ קאַנדאַקטינג טשאַנאַלז אויף די סעמיקאַנדאַקטער ייבערפלאַך, אַלאַוינג עלעקטראָנס צו לויפן.

PMOSFET:א PMOSFET קאַנדאַקץ ווען די טויער וואָולטידזש איז נעגאַטיוו מיט רעספּעקט צו די מקור וואָולטידזש. א נעגאַטיוו טויער וואָולטידזש קריייץ אַ פּ-טיפּ קאַנדאַקטינג קאַנאַל אויף די סעמיקאַנדאַקטער ייבערפלאַך, אַלאַוינג האָלעס צו לויפן (אָדער קראַנט צו לויפן פון ד צו ז).

IV. אנדערע אַגזיליערי מעטהאָדס פון משפט

זען מיטל מאַרקס:אויף עטלעכע MOSFETs, עס קען זיין אַ מאַרקינג אָדער מאָדעל נומער וואָס יידענאַפייד זיין טיפּ, און דורך קאַנסאַלטינג די באַטייַטיק דאַטאַשיט, איר קענען באַשטעטיקן צי עס איז אַ NMOSFET אָדער אַ PMOSFET.

נוצן פון פּרובירן ינסטראַמאַנץ:מעסטן די שטיפט קעגנשטעל פון אַ MOSFET אָדער זיין קאַנדאַקשאַן ביי פאַרשידענע וואָולטידזש דורך פּרובירן ינסטראַמאַנץ אַזאַ ווי מולטימעטערס קענען אויך אַרוישעלפן אין דיטערמאַנינג זייַן טיפּ.

אין קיצער, משפט פון NMOSFETs און PMOSFETs קענען זיין דורכגעקאָכט דער הויפּט דורך די קראַנט לויפן ריכטונג, פּעראַסיטיק דייאָוד ריכטונג, די שייכות צווישן די קאָנטראָל ילעקטראָוד וואָולטידזש און קאַנדאַקטיוואַטי, ווי געזונט ווי קאָנטראָלירונג די מיטל מאַרקינג און די נוצן פון פּרובירן ינסטראַמאַנץ. אין פּראַקטיש אַפּלאַקיישאַנז, די צונעמען משפט אופֿן קענען זיין אויסגעקליבן לויט די ספּעציפיש סיטואַציע.