MOSFETs (מעטאַל-אַקסייד-סעמיקאָנדוקטאָר פעלד-עפפעקט טראַנסיסטאָר) זענען אָפט גערעכנט ווי גאָר קאַנטראָולד דעוויסעס. דאָס איז ווייַל די אַפּערייטינג שטאַט (אויף אָדער אַוועק) פון די MOSFET איז גאָר קאַנטראָולד דורך די טויער וואָולטידזש (Vgs) און איז נישט אָפענגען אויף די באַזע קראַנט ווי אין דעם פאַל פון אַ בייפּאָולער טראַנזיסטאָר (BJT).
אין אַ MOSFET, די טויער וואָולטידזש Vgs דיטערמאַנז צי אַ קאַנדאַקטינג קאַנאַל איז געשאפן צווישן די מקור און פליסן, ווי געזונט ווי די ברייט און קאַנדאַקטיוואַטי פון די קאַנדאַקטינג קאַנאַל. ווען Vgs יקסידז די שוועל וואָולטידזש Vt, די קאַנדאַקטינג קאַנאַל איז געשאפן און די MOSFET גייט אריין די אויף-שטאַט; ווען Vgs פאלן אונטער Vt, די קאַנדאַקטינג קאַנאַל פארשווינדט און די MOSFET איז אין די אָפּשניט שטאַט. די קאָנטראָל איז גאָר קאַנטראָולד ווייַל די טויער וואָולטידזש קענען ינדיפּענדאַנטלי און גענוי קאָנטראָלירן די אַפּערייטינג שטאַט פון די MOSFET אָן פאַרלאָזנ אויף אנדערע קראַנט אָדער וואָולטידזש פּאַראַמעטערס.
אין קאַנטראַסט, די אַפּערייטינג שטאַט פון האַלב-קאַנטראָולד דעוויסעס (למשל, טהיריסטאָרס) איז נישט בלויז אַפעקטאַד דורך די קאָנטראָל וואָולטידזש אָדער קראַנט, אָבער אויך דורך אנדערע סיבות (למשל, אַנאָוד וואָולטידזש, קראַנט, אאז"ו ו). ווי אַ רעזולטאַט, גאָר קאַנטראָולד דעוויסעס (למשל, MOSFETs) יוזשאַוואַלי פאָרשלאָגן בעסער פאָרשטעלונג אין טערמינען פון קאָנטראָל אַקיעראַסי און בייגיקייַט.
אין קיצער, MOSFETs זענען גאָר קאַנטראָולד דעוויסעס וועמענס אַפּערייטינג שטאַט איז גאָר קאַנטראָולד דורך די טויער וואָולטידזש און האָבן די אַדוואַנטידזשיז פון הויך פּינטלעכקייַט, הויך בייגיקייַט און נידעריק מאַכט קאַנסאַמשאַן.
פּאָסטן צייט: 20-2024 סעפטעמבער
