ווען די MOSFET איז קאָננעקטעד צו די ויטאָבוס און מאַסע ערד, אַ הויך וואָולטידזש זייַט באַשטימען איז געניצט. אָפט פּ-קאַנאַלMOSFETsזענען געניצט אין דעם טאָפּאָלאָגי, ווידער פֿאַר וואָולטידזש פאָר קאַנסידעריישאַנז. באַשטימען דעם קראַנט ראַנג די רגע שריט איז צו אויסקלייַבן דעם קראַנט ראַנג פון די MOSFET. דעפּענדינג אויף די קרייַז סטרוקטור, דעם קראַנט ראַנג זאָל זיין די מאַקסימום קראַנט וואָס די מאַסע קענען וויטסטאַנד אונטער אַלע צושטאנדן.
ענלעך צו דעם פאַל פון וואָולטידזש, דער דיזיינער מוזן ענשור אַז די אויסגעקליבןMOSFETקענען וויטסטאַנד דעם קראַנט ראַנג, אפילו ווען די סיסטעם איז דזשענערייטינג ספּייק קעראַנץ. די צוויי קראַנט קאַסעס זענען קעסיידערדיק מאָדע און דויפעק ספּייקס. דער פּאַראַמעטער איז רעפערענסעד דורך די FDN304P DATASHEET, ווו די MOSFET איז אין אַ פעסט שטאַט אין קעסיידערדיק קאַנדאַקשאַן מאָדע, ווען די קראַנט איז קאַנטיניואַסלי פלאָוינג דורך די מיטל.
דויפעק ספּייקס זענען ווען עס איז אַ גרויס סערדזש (אָדער ספּייק) פון קראַנט פלאָוינג דורך די מיטל. אַמאָל די מאַקסימום קראַנט אונטער די באדינגונגען איז באשלאסן, עס איז פשוט אַ ענין פון גלייַך סעלעקטינג אַ מיטל וואָס קענען וויטסטאַנד דעם מאַקסימום קראַנט.
נאָך סעלעקטינג די רייטאַד קראַנט, די קאַנדאַקשאַן אָנווער מוזן אויך זיין קאַלקיאַלייטיד. אין פיר, MOSFETs זענען נישט ידעאַל דעוויסעס ווייַל עס איז אַ אָנווער פון מאַכט בעשאַס די קאַנדאַקטיוו פּראָצעס, וואָס איז גערופן קאַנדאַקשאַן אָנווער.
די MOSFET אקטן ווי אַ בייַטעוודיק רעסיסטאָר ווען עס איז "אויף", ווי באשלאסן דורך די RDS (ON) פון די מיטל, און וועריז באטייטיק מיט טעמפּעראַטור. די מאַכט דיסיפּיישאַן פון די מיטל קענען זיין קאַלקיאַלייטיד פֿון Iload2 x RDS(ON), און זינט די קעגנשטעל פון די מאַכט וועריז מיט טעמפּעראַטור, די מאַכט דיסיפּיישאַן וועריז פּראַפּאָרשאַנאַל. די העכער די וואָולטידזש VGS געווענדט צו די MOSFET, די קלענערער די RDS(ON) וועט זיין; פאַרקערט, די העכער די RDS(ON) וועט זיין. פֿאַר די סיסטעם דיזיינער, דאָס איז ווו די טריידאָפס קומען אין שפּיל דיפּענדינג אויף די סיסטעם וואָולטידזש. פֿאַר פּאָרטאַטיוו דיזיינז, עס איז גרינגער (און מער געוויינטלעך) צו נוצן נידעריקער וואָולטידזש, בשעת פֿאַר ינדאַסטרי דיזיינז, העכער וואָולטאַדזשאַז קענען זיין געוויינט.
באַמערקונג אַז די RDS (ON) קעגנשטעל ריסעס אַ ביסל מיט קראַנט. ווערייישאַנז אויף די פאַרשידן עלעקטריקאַל פּאַראַמעטערס פון די RDS (ON) רעסיסטאָר קענען זיין געפֿונען אין די טעכניש דאַטן בלאַט צוגעשטעלט דורך דער פאַבריקאַנט.
דיטערמאַנינג טערמאַל רעקווירעמענץ דער ווייַטער שריט אין סאַלעקטינג אַ MOSFET איז צו רעכענען די טערמאַל באדערפענישן פון די סיסטעם. דער דיזיינער מוזן באַטראַכטן צוויי פאַרשידענע סינעריאָוז, די ערגסט פאַל און די אמת פאַל. עס איז רעקאַמענדיד צו נוצן די כעזשבן פֿאַר די ערגסט-פאַל סצענאַר, ווייַל דער רעזולטאַט גיט אַ גרעסערע גרענעץ פון זיכערקייַט און ינשורז אַז די סיסטעם וועט נישט פאַרלאָזן.
עס זענען אויך עטלעכע מעזשערמאַנץ צו זיין אַווער פון אויף דיMOSFETדאַטאַשעעט; אַזאַ ווי די טערמאַל קעגנשטעל צווישן די סעמיקאַנדאַקטער קנופּ פון די פּאַקידזשד מיטל און די אַמביאַנט סוויווע, און די מאַקסימום קנופּ טעמפּעראַטור. די קנופּ טעמפּעראַטור פון די מיטל איז גלייַך צו די מאַקסימום אַמביאַנט טעמפּעראַטור פּלוס די פּראָדוקט פון טערמאַל קעגנשטעל און מאַכט דיסיפּיישאַן (קנופּ טעמפּעראַטור = מאַקסימום אַמביאַנט טעמפּעראַטור + [טערמאַל קעגנשטעל רענטגענ מאַכט דיסיפּיישאַן]). פֿון דעם יקווייזשאַן די מאַקסימום מאַכט דיסיפּיישאַן פון די סיסטעם קענען זיין סאַלווד, וואָס איז לויט דעפֿיניציע גלייַך צו I2 x RDS(ON).
זינט דער דיזיינער האט באשלאסן די מאַקסימום קראַנט וואָס וועט פאָרן דורך די מיטל, RDS(ON) קענען זיין קאַלקיאַלייטיד פֿאַר פאַרשידענע טעמפּעראַטורעס. עס איז וויכטיק צו טאָן אַז ווען דילינג מיט פּשוט טערמאַל מאָדעלס, דער דיזיינער מוזן אויך באַטראַכטן די היץ קאַפּאַציטעט פון די סעמיקאַנדאַקטער קנופּ / מיטל אָפּצוימונג און די אָפּצוימונג / סוויווע; ד"ה, עס איז פארלאנגט אַז די געדרוקט קרייַז ברעט און די פּעקל זאָל נישט וואַרעם אַרויף מיד.
יוזשאַוואַלי, אַ PMOSFET, עס וועט זיין אַ פּעראַסיטיק דייאָוד פאָרשטעלן, די דייאָוד ס פֿונקציע איז צו פאַרמיידן די מקור-פליסן פאַרקערט קשר, פֿאַר PMOS, די מייַלע איבער NMOS איז אַז זייַן קער-אויף וואָולטידזש קענען זיין 0, און די וואָולטידזש חילוק צווישן די DS וואָולטידזש איז נישט פיל, בשעת די NMOS אויף צושטאַנד ריקווייערז אַז די VGS איז גרעסער ווי די שוועל, וואָס וועט פירן צו די קאָנטראָל וואָולטידזש איז ינעוואַטאַבלי גרעסער ווי די פארלאנגט וואָולטידזש, און עס וועט זיין ומנייטיק קאָנפליקט. PMOS איז אויסגעקליבן ווי די קאָנטראָל באַשטימען, עס זענען די פאלגענדע צוויי אַפּלאַקיישאַנז: דער ערשטער אַפּלאַקיישאַן, די PMOS צו דורכפירן די וואָולטידזש סעלעקציע, ווען V8V יגזיסץ, די וואָולטידזש איז אַלע צוגעשטעלט דורך V8V, די PMOS וועט זיין אויסגעדרייט אַוועק, די VBAT טוט נישט צושטעלן וואָולטידזש צו די VSIN, און ווען די V8V איז נידעריק, די VSIN איז פּאַוערד דורך 8V. באַמערקונג די גראַונדינג פון R120, אַ רעסיסטאָר וואָס סטעדאַלי פּולז די טויער וואָולטידזש אַראָפּ צו ענשור געהעריק PMOS קער-אויף, אַ שטאַט ריזיקירן פֿאַרבונדן מיט די הויך טויער ימפּידאַנס דיסקרייבד פריער.
די פאַנגקשאַנז פון D9 און D10 זענען צו פאַרמייַדן וואָולטידזש באַקאַפּ, און D9 קענען זיין איבערגעהיפּערט. עס זאָל זיין אנגעוויזן אַז די DS פון די קרייַז איז אַקשלי ריווערסט, אַזוי אַז די פונקציע פון די סוויטשינג רער קענען ניט זיין אַטשיווד דורך די קאַנדאַקשאַן פון די אַטאַטשט דייאָוד, וואָס זאָל זיין אנגעוויזן אין פּראַקטיש אַפּלאַקיישאַנז. אין דעם קרייַז, די קאָנטראָל סיגנאַל פּגק קאָנטראָלס צי וו4.2 סאַפּלייז מאַכט צו פּ_גפּרס. דער קרייַז, די מקור און פליסן טערמינאַלס זענען נישט קאָננעקטעד צו די פאַרקערט, ר110 און ר113 עקסיסטירן אין דעם זינען אַז ר110 קאָנטראָל טויער קראַנט איז נישט צו גרויס, ר113 קאָנטראָל טויער נאָרמאַליטי, ר113 ציען-אַרויף פֿאַר הויך, ווי פון PMOS, אָבער אויך קענען זיין געזען ווי אַ ציען-אַרויף אויף די קאָנטראָל סיגנאַל, ווען די MCU ינערלעך פּינס און ציען-אַרויף, דאָס איז, דער רעזולטאַט פון די עפענען פליסן ווען דער רעזולטאַט טוט נישט פאָר די PMOS אַוועק, אין דעם צייט, דאַרפֿן אַ פונדרויסנדיק וואָולטידזש צו געבן די ציען-אַרויף, אַזוי רעסיסטאָר ר113 פיעסעס צוויי ראָלעס. ר110 קענען זיין קלענערער, צו 100 אָומז קענען זיין.
קליין פּעקל MOSFETs האָבן אַ יינציק ראָלע צו שפּילן.
פּאָסטן צייט: אפריל 27-2024
