וואָס זענען די פאַנגקשאַנז פון MOSFET?

עס זענען צוויי הויפּט טייפּס פון MOSFET: שפּאַלטן קנופּ טיפּ און ינסאַלייטיד טויער טיפּ. Junction MOSFET (JFET) איז געהייסן ווייַל עס האט צוויי פּן דזשונקטיאָנס, און ינסאַלייטיד טויערMOSFET(JGFET) איז געהייסן ווייַל די טויער איז גאָר ינסאַלייטיד פון אנדערע ילעקטראָודז. דערווייַל, צווישן ינסאַלייטיד טויער MOSFETs, די מערסט קאַמאַנלי געניצט איז MOSFET, ריפערד צו ווי MOSFET (מעטאַל-אַקסייד-סעמיקאַנדאַקטער MOSFET); אין אַדישאַן, עס זענען PMOS, NMOS און VMOS מאַכט MOSFETs, ווי געזונט ווי די לעצטנס לאָנטשט πMOS און VMOS מאַכט מאַדזשולז, עטק.

 

לויט צו די פאַרשידענע קאַנאַל סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס, קנופּ טיפּ און ינסאַלייטינג טויער טיפּ זענען צעטיילט אין קאַנאַל און פּ קאַנאַל. אויב צעטיילט לויט קאַנדאַקטיוואַטי מאָדע, MOSFET קענען זיין צעטיילט אין דיפּלישאַן טיפּ און ענכאַנסמאַנט טיפּ. Junction MOSFETs זענען אַלע דיפּלישאַן טיפּ, און ינסאַלייטיד טויער MOSFETs זענען ביידע דיפּלישאַן טיפּ און ענכאַנסמאַנט טיפּ.

פעלד ווירקונג טראַנזיסטערז קענען זיין צעטיילט אין קנופּ פעלד ווירקונג טראַנזיסטערז און MOSFETs. MOSFETs זענען צעטיילט אין פיר קאַטעגאָריעס: N-קאַנאַל דיפּלישאַן טיפּ און ענכאַנסמאַנט טיפּ; פּ-קאַנאַל דיפּלישאַן טיפּ און ענכאַנסמאַנט טיפּ.

 

טשאַראַקטעריסטיקס פון MOSFET

די כאַראַקטעריסטיש פון אַ MOSFET איז די דרום טויער וואָולטידזש UG; וואָס קאָנטראָלס זייַן פליסן קראַנט שייַן. קאַמפּערד מיט פּראָסט בייפּאָולער טראַנזיסטערז, MOSFETs האָבן די קעראַקטעריסטיקס פון הויך אַרייַנשרייַב ימפּידאַנס, נידעריק ראַש, גרויס דינאַמיש קייט, נידעריק מאַכט קאַנסאַמשאַן און גרינג ינאַגריישאַן.

 

ווען די אַבסאָלוט ווערט פון די נעגאַטיוו פאָרורטייל וואָולטידזש (-UG) ינקריסיז, די דיפּלישאַן שיכטע ינקריסיז, די קאַנאַל דיקריסאַז און די פליסן קראַנט שייַן דיקריסאַז. ווען די אַבסאָלוט ווערט פון די נעגאַטיוו פאָרורטייל וואָולטידזש (-UG) דיקריסאַז, די דיפּלישאַן שיכטע דיקריסאַז, דער קאַנאַל ינקריסאַז און די פליסן קראַנט שייַן ינקריסיז. עס קענען זיין געזען אַז די פליסן קראַנט שייַן איז קאַנטראָולד דורך די טויער וואָולטידזש, אַזוי די MOSFET איז אַ וואָולטידזש קאַנטראָולד מיטל, דאָס איז, די ענדערונגען אין די רעזולטאַט קראַנט זענען קאַנטראָולד דורך ענדערונגען אין די אַרייַנשרייַב וואָולטידזש, אַזוי צו דערגרייכן אַמפּלאַפאַקיישאַן און אנדערע צוועקן.

 

ווי בייפּאָולער טראַנזיסטערז, ווען MOSFET איז געניצט אין סערקאַץ אַזאַ ווי אַמפּלאַפאַקיישאַן, אַ פאָרורטייל וואָולטידזש זאָל אויך זיין מוסיף צו זיין טויער.

דער טויער פון די קנופּ פעלד ווירקונג רער זאָל זיין געווענדט מיט אַ פאַרקערט פאָרורטייל וואָולטידזש, דאָס איז, אַ נעגאַטיוו טויער וואָולטידזש זאָל זיין געווענדט צו די N-קאַנאַל רער און אַ positive טויער קלאָז זאָל זיין געווענדט צו די פּ-קאַנאַל רער. ריינפאָרסט ינסאַלייטיד טויער MOSFET זאָל צולייגן פאָרויס טויער וואָולטידזש. די טויער וואָולטידזש פון אַ דיפּלישאַן מאָדע ינסאַלייטינג MOSFET קענען זיין positive, נעגאַטיוו אָדער "0". די מעטהאָדס פון אַדינג פאָרורטייל אַרייַננעמען די פאַרפעסטיקט פאָרורטייל אופֿן, די זיך-סאַפּלייד פאָרורטייל אופֿן, די דירעקט קאַפּלינג אופֿן, אאז"ו ו.

MOSFETהאט פילע פּאַראַמעטערס, אַרייַנגערעכנט דק פּאַראַמעטערס, אַק פּאַראַמעטערס און שיעור פּאַראַמעטערס, אָבער אין נאָרמאַל נוצן, איר נאָר דאַרפֿן צו באַצאָלן ופמערקזאַמקייט צו די פאלגענדע הויפּט פּאַראַמעטערס: סאַטשערייטאַד פליסן-מקור קראַנט IDSS קניפּ-אַוועק וואָולטידזש אַרויף, (קנופּ רער און דיפּלישאַן מאָדע ינסאַלייטיד טויער רער, אָדער קער-אויף וואָולטידזש UT (ריינפאָרסט ינסאַלייטיד טויער רער), טראַנסקאָנדוקטאַנסע גם, פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש BUDS, מאַקסימום מאַכט דיסיפּיישאַן פּדסם און מאַקסימום פליסן-מקור קראַנט IDSM.

(1) סאַטשערייטאַד פליסן-מקור קראַנט

די סאַטשערייטאַד פליסן-מקור קראַנט IDSS רעפערס צו די פליסן-מקור קראַנט ווען די טויער וואָולטידזש UGS=0 אין אַ קנופּ אָדער דיפּלישאַן ינסאַלייטיד טויער MOSFET.

(2) קניפּ-אַוועק וואָולטידזש

די קניפּ-אַוועק וואָולטידזש UP רעפערס צו די טויער וואָולטידזש ווען די פליסן-מקור קשר איז נאָר שנייַדן אַוועק אין אַ קנופּ אָדער דיפּלישאַן-טיפּ ינסאַלייטיד טויער MOSFET. ווי געוויזן אין 4-25 פֿאַר די UGS-ID ויסבייג פון די N-קאַנאַל רער, די טייַטש פון IDSS און UP קענען זיין קלאר געזען.

(3) קער-אויף וואָולטידזש

די טורנינג וואָולטידזש UT רעפערס צו די טויער וואָולטידזש ווען די פליסן-מקור קשר איז נאָר געמאכט אין די ריינפאָרסט ינסאַלייטיד טויער MOSFET. פיגורע 4-27 ווייזט די UGS-ID ויסבייג פון די N-קאַנאַל רער, און די טייַטש פון UT קענען זיין קלאר געזען.

(4) טראַנסקאָנדוקטאַנסע

טראַנסקאָנדוקטאַנסע גם רעפּראַזענץ די פיייקייט פון די טויער-מקור וואָולטידזש UGS צו קאָנטראָלירן די פליסן קראַנט שייַן, דאָס איז, די פאַרהעלטעניש פון די ענדערונג אין די פליסן קראַנט שייַן צו די ענדערונג אין די טויער-מקור וואָולטידזש UGS. 9 ם איז אַ וויכטיק פּאַראַמעטער צו מעסטן די אַמפּלאַפאַקיישאַן פיייקייט פוןMOSFET.

(5) פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש

די פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש BUDS רעפערס צו די מאַקסימום פליסן-מקור וואָולטידזש אַז די MOSFET קענען אָננעמען ווען די טויער-מקור וואָולטידזש UGS איז קעסיידערדיק. דאָס איז אַ לימאַטינג פּאַראַמעטער, און די אַפּערייטינג וואָולטידזש געווענדט צו די MOSFET מוזן זיין ווייניקער ווי BUDS.

(6) מאַקסימום מאַכט דיסיפּיישאַן

די מאַקסימום מאַכט דיסיפּיישאַן PDSM איז אויך אַ לימיט פּאַראַמעטער, וואָס רעפערס צו די מאַקסימום פליסן-מקור מאַכט דיסיפּיישאַן ערלויבט אָן דיטיריעריישאַן פון MOSFET פאָרשטעלונג. ווען געוויינט, די פאַקטיש מאַכט קאַנסאַמשאַן פון MOSFET זאָל זיין ווייניקער ווי PDSM און לאָזן אַ זיכער גרענעץ.

(7) מאַקסימום פליסן-מקור קראַנט

די מאַקסימום פליסן-מקור קראַנט IDSM איז אן אנדער לימיט פּאַראַמעטער, וואָס רעפערס צו די מאַקסימום קראַנט ערלויבט צו פאָרן צווישן די פליסן און מקור ווען די MOSFET איז אַפּערייטינג נאָרמאַלי. די אַפּערייטינג קראַנט פון די MOSFET זאָל נישט יקסיד די IDSM.

1. MOSFET קענען ווערן געניצט פֿאַר אַמפּלאַפאַקיישאַן. זינט די אַרייַנשרייַב ימפּידאַנס פון די MOSFET אַמפּלאַפייער איז זייער הויך, די קאַפּלינג קאַפּאַסאַטער קענען זיין קליין און עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז טאָן ניט האָבן צו נוצן.

2. די הויך אַרייַנשרייַב ימפּידאַנס פון MOSFET איז זייער פּאַסיק פֿאַר ימפּידאַנס טראַנספאָרמאַציע. עס איז אָפט געניצט פֿאַר ימפּידאַנס טראַנספאָרמאַציע אין די אַרייַנשרייַב בינע פון ​​מאַלטי-בינע אַמפּלאַפייערז.

3. MOSFET קענען ווערן געניצט ווי אַ בייַטעוודיק רעסיסטאָר.

4. MOSFET קענען זיין קאַנוויניאַנטלי געניצט ווי אַ קעסיידערדיק קראַנט מקור.

5. MOSFET קענען ווערן געניצט ווי אַן עלעקטראָניש באַשטימען.

 

MOSFET האט די קעראַקטעריסטיקס פון נידעריק ינערלעך קעגנשטעל, הויך וויטסטאַנד וואָולטידזש, שנעל סוויטשינג און הויך לאַווינע ענערגיע. די דיזיינד קראַנט שפּאַן איז 1A-200A און די וואָולטידזש שפּאַן איז 30V-1200V. מיר קענען סטרויערן די עלעקטריקאַל פּאַראַמעטערס לויט צו דער קונה ס אַפּלאַקיישאַן פעלדער און אַפּלאַקיישאַן פּלאַנז צו פֿאַרבעסערן קונה פּראָדוקט רילייאַבילאַטי, קוילעלדיק קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט און פּראָדוקט פּרייַז קאַמפּעטיטיווניס.

 

MOSFET ווס טראַנסיסטאָר פאַרגלייַך

(1) MOSFET איז אַ וואָולטידזש קאָנטראָל עלעמענט, בשעת אַ טראַנזיסטאָר איז אַ קראַנט קאָנטראָל עלעמענט. ווען בלויז אַ קליין סומע פון ​​קראַנט איז ערלויבט צו זיין גענומען פון די סיגנאַל מקור, אַ MOSFET זאָל זיין געוויינט; ווען דער סיגנאַל וואָולטידזש איז נידעריק און אַ גרויס סומע פון ​​קראַנט איז ערלויבט צו נעמען פון די סיגנאַל מקור, אַ טראַנזיסטאָר זאָל זיין געוויינט.

(2) MOSFET ניצט מערהייט קאַריערז צו אָנפירן עלעקטרע, אַזוי עס איז גערופן אַ וניפּאָלאַר מיטל, בשעת טראַנזיסטערז האָבן ביידע מערהייַט קאַריערז און מינאָריטעט קאַריערז צו פירן עלעקטרע. עס איז גערופן אַ בייפּאָולער מיטל.

(3) די מקור און פליסן פון עטלעכע MOSFETs קענען זיין ינטערטשיינדזשאַבאַל, און די טויער וואָולטידזש קענען זיין positive אָדער נעגאַטיוו, וואָס איז מער פלעקסאַבאַל ווי טראַנזיסטערז.

(4) MOSFET קענען אַרבעטן אונטער זייער קליין קראַנט און זייער נידעריק וואָולטידזש טנאָים, און זיין מאַנופאַקטורינג פּראָצעס קענען לייכט ויסשטימען פילע MOSFETs אויף אַ סיליציום ווייפער. דעריבער, MOSFETs זענען וויידלי געניצט אין גרויס-וואָג ינאַגרייטיד סערקאַץ.

 

ווי צו ריכטער די קוואַליטעט און פּאָולעראַטי פון MOSFET

אויסקלייַבן די קייט פון די מולטימעטער צו RX1K, פאַרבינדן די שוואַרץ פּרובירן פירן צו די ד פלאָקן און די רויט פּרובירן פירן צו די S פלאָקן. ריר די G און D פּויליש אין דער זעלביקער צייט מיט דיין האַנט. די MOSFET זאָל זיין אין אַ ינסטאַנטאַניאַס קאַנדאַקשאַן שטאַט, דאָס איז, די מעטער נאָדל סווינגס צו אַ שטעלע מיט אַ קלענערער קעגנשטעל. , און דעמאָלט אָנרירן די G און S פּויליש מיט דיין הענט, די MOSFET זאָל האָבן קיין ענטפער, דאָס איז, די מעטער נאָדל וועט נישט מאַך צוריק צו די נול שטעלע. אין דעם צייט, עס זאָל זיין געמשפט אַז די MOSFET איז אַ גוט רער.

אויסקלייַבן די קייט פון די מולטימעטער צו RX1K, און מעסטן די קעגנשטעל צווישן די דריי פּינס פון די MOSFET. אויב די קעגנשטעל צווישן איין שטיפט און די אנדערע צוויי פּינס איז ינפאַנאַט, און עס איז נאָך ינפאַנאַט נאָך יקסטשיינדזשינג די פּראָבע לידז, דעמאָלט דעם שפּילקע איז די G פּאָול, און די אנדערע צוויי פּינס זענען די S פּאָול און D פלאָקן. דערנאָך נוצן אַ מולטימעטער צו מעסטן די קעגנשטעל ווערט צווישן די S פלאָקן און די D פלאָקן אַמאָל, וועקסל די פּראָבע לידז און מעסטן ווידער. דער איינער מיט דער קלענערער קעגנשטעל ווערט איז שוואַרץ. די פּראָבע פירן איז פארבונדן צו די S פלאָקן, און די רויט פּרובירן פירן איז פארבונדן צו די ד פלאָקן.

 

MOSFET דיטעקשאַן און נוצן פּריקאָשאַנז

1. ניצן אַ טייַטל מולטימעטער צו ידענטיפיצירן די MOSFET

1) ניצן קעגנשטעל מעזשערמאַנט אופֿן צו ידענטיפיצירן די ילעקטראָודז פון קנופּ MOSFET

לויט די דערשיינונג אַז די פאָרויס און פאַרקערט קעגנשטעל וואַלועס פון די PN קנופּ פון די MOSFET זענען אַנדערש, די דריי ילעקטראָודז פון די MOSFET קנופּ קענען זיין יידענאַפייד. ספּעציפיש אופֿן: שטעלן די מולטימעטער צו די R × 1 ק קייט, סעלעקטירן צוויי ילעקטראָודז און מעסטן זייער פאָרויס און פאַרקערט קעגנשטעל ריספּעקטיוולי. ווען די פאָרויס און פאַרקערט קעגנשטעל וואַלועס פון צוויי ילעקטראָודז זענען גלייַך און זענען עטלעכע טויזנט אָומז, די צוויי ילעקטראָודז זענען די פליסן D און די מקור S ריספּעקטיוולי. ווייַל פֿאַר קנופּ MOSFETs, די פליסן און מקור זענען ינטערטשיינדזשאַבאַל, די רוען ילעקטראָוד מוזן זיין די טויער G. איר קענען אויך פאַרבינדן די שוואַרץ פּרובירן פירן (רויט פּרובירן פירן איז אויך פּאַסיק) פון די מולטימעטער צו קיין ילעקטראָוד, און די אנדערע פּרובירן פירן צו פאַרבינדן די רוען צוויי ילעקטראָודז אין סיקוואַנס צו מעסטן די קעגנשטעל ווערט. ווען די קעגנשטעל וואַלועס געמאסטן צוויי מאָל זענען בעערעך גלייַך, די ילעקטראָוד אין קאָנטאַקט מיט די שוואַרץ פּרובירן פירן איז די טויער, און די אנדערע צוויי ילעקטראָודז זענען די פליסן און מקור ריספּעקטיוולי. אויב די קעגנשטעל וואַלועס געמאסטן צוויי מאָל זענען ביידע זייער גרויס, עס מיטל אַז עס איז די פאַרקערט ריכטונג פון די פּן קנופּ, דאָס איז, זיי זענען ביידע פאַרקערט קעגנשטעל. עס קענען זיין באשלאסן אַז עס איז אַ N-קאַנאַל MOSFET, און די שוואַרץ פּרובירן פירן איז פארבונדן צו די טויער; אויב די קעגנשטעל וואַלועס געמאסטן צוויי מאָל זענען די קעגנשטעל וואַלועס זענען זייער קליין, וואָס ינדיקייץ אַז עס איז אַ פאָרויס פּן קנופּ, דאָס איז, אַ פאָרויס קעגנשטעל, און עס איז באשלאסן צו זיין אַ פּ-קאַנאַל MOSFET. די שוואַרץ פּרובירן פירן איז אויך פארבונדן צו די טויער. אויב די אויבן סיטואַציע טוט נישט פּאַסירן, איר קענען פאַרבייַטן די שוואַרץ און רויט פּרובירן לידז און דורכפירן די פּראָבע לויט די אויבן אופֿן ביז די גריד איז יידענאַפייד.

 

2) ניצן קעגנשטעל מעזשערמאַנט אופֿן צו באַשטימען די קוואַליטעט פון MOSFET

די קעגנשטעל מעזשערמאַנט אופֿן איז צו נוצן אַ מולטימעטער צו מעסטן די קעגנשטעל צווישן די MOSFET ס מקור און פליסן, טויער און מקור, טויער און פליסן, טויער G1 און טויער G2 צו באַשליסן צי עס גלייַכן די קעגנשטעל ווערט אנגעוויזן אין די MOSFET מאַנואַל. די הנהלה איז גוט אדער שלעכט. ספּעציפיש אופֿן: ערשטער, שטעלן די מולטימעטער צו די R × 10 אָדער R × 100 קייט, און מעסטן די קעגנשטעל צווישן די מקור S און די פליסן D, יוזשאַוואַלי אין די קייט פון טענס פון אָומז צו עטלעכע טויזנט אָומז (עס קענען זיין געזען אין די מאַנואַל אַז פאַרשידן מאָדעלס פון די טובז, זייער קעגנשטעל וואַלועס זענען אַנדערש), אויב די געמאסטן קעגנשטעל ווערט איז גרעסער ווי דער נאָרמאַל ווערט, עס קען זיין רעכט צו אַ נעבעך ינערלעך קאָנטאַקט; אויב די געמאסטן קעגנשטעל ווערט איז ינפאַנאַט, עס קען זיין אַן ינערלעך צעבראכן פלאָקן. דערנאָך שטעלן די מולטימעטער צו די R × 10k קייט, און מעסטן די קעגנשטעל וואַלועס צווישן טויערן G1 און G2, צווישן די טויער און די מקור, און צווישן די טויער און די פליסן. ווען די געמאסטן קעגנשטעל וואַלועס זענען אַלע ינפאַנאַט, עס מיטל אַז די רער איז נאָרמאַל; אויב די אויבן קעגנשטעל וואַלועס זענען אויך קליין אָדער עס איז אַ דרך, עס מיטל אַז די רער איז שלעכט. עס זאָל זיין אנגעוויזן אַז אויב די צוויי טויערן זענען צעבראכן אין די רער, די קאָמפּאָנענט סאַבסטיטושאַן אופֿן קענען זיין געניצט פֿאַר דיטעקשאַן.

 

3) ניצן די ינדאַקשאַן סיגנאַל אַרייַנשרייַב אופֿן צו אָפּשאַצן די אַמפּלאַפאַקיישאַן פיייקייט פון MOSFET

ספּעציפיש אופֿן: ניצן די ר × 100 מדרגה פון די מולטימעטער קעגנשטעל, פאַרבינדן די רויט פּרובירן פירן צו די מקור S, און די שוואַרץ פּרובירן פירן צו די פליסן ד. לייג אַ 1.5 וו מאַכט צושטעלן וואָולטידזש צו די MOSFET. אין דעם צייַט, די קעגנשטעל ווערט צווישן די פליסן און די מקור איז אנגעוויזן דורך די מעטער נאָדל. דעמאָלט קניפּ די טויער G פון די קנופּ MOSFET מיט דיין האַנט, און לייגן די ינדוסט וואָולטידזש סיגנאַל פון דעם מענטש גוף צו די טויער. אין דעם וועג, רעכט צו דער אַמפּלאַפאַקיישאַן ווירקונג פון די רער, די פליסן-מקור וואָולטידזש VDS און די פליסן קראַנט יב וועט טוישן, דאָס איז, די קעגנשטעל צווישן די פליסן און די מקור וועט טוישן. פון דעם, עס קענען זיין באמערקט אַז די מעטער נאָדל סווינגס אין אַ גרויס מאָס. אויב די נאָדל פון די האַנט-געהאלטן גריד נאָדל סווינגס קליין, עס מיטל אַז די אַמפּלאַפאַקיישאַן פיייקייַט פון די רער איז נעבעך; אויב די נאָדל סווינגס זייער, עס מיטל אַז די אַמפּלאַפאַקיישאַן פיייקייַט פון די רער איז גרויס; אויב די נאָדל טוט נישט רירן, עס מיטל אַז די רער איז שלעכט.

 

לויט די אויבן אופֿן, מיר נוצן די R × 100 וואָג פון די מולטימעטער צו מעסטן די קנופּ MOSFET 3DJ2F. ערשטער עפֿענען די G ילעקטראָוד פון די רער און מעסטן די פליסן-מקור קעגנשטעל RDS צו זיין 600Ω. נאָך האַלטן די G ילעקטראָוד מיט דיין האַנט, די מעטער נאָדל סווינגס צו די לינקס. די RDS קעגנשטעל איז 12kΩ. אויב די מעטער נאָדל סווינגס גרעסערע, עס מיטל אַז די רער איז גוט. , און האט אַ גרעסערע אַמפּלאַפאַקיישאַן פיייקייט.

 

עס זענען עטלעכע פונקטן צו טאָן ווען איר נוצן דעם אופֿן: ערשטער, ווען איר פּרובירן די MOSFET און האַלטן די טויער מיט דיין האַנט, די מולטימעטער נאָדל קען מאַך צו די רעכט (די קעגנשטעל ווערט דיקריסאַז) אָדער צו די לינקס (די קעגנשטעל ווערט ינקריסיז) . דאָס איז רעכט צו דעם פאַקט אַז די אַק וואָולטידזש ינדוסט דורך דעם מענטש גוף איז לעפיערעך הויך, און פאַרשידענע MOSFETs קען האָבן פאַרשידענע ארבעטן פונקטן ווען געמאסטן מיט אַ קעגנשטעל קייט (אָדער אַפּערייטינג אין די סאַטשערייטאַד זאָנע אָדער די אַנסאַטשערייטיד זאָנע). טעסץ האָבן געוויזן אַז די RDS פון רובֿ טובז ינקריסיז. דאָס הייסט, די וואַך-האַנט שוועבט זיך אויף לינקס; די RDS פון אַ ביסל טובז דיקריסאַז, קאָזינג די וואַך האַנט צו מאַך צו די רעכט.

אבער נישט געקוקט אויף דער ריכטונג אין וועלכער די זייגער-האנט שווינגט זיך, אזוי לאנג ווי די וואך-האנט איז גרעסער, מיינט דאס אז דער רער האט א גרעסערע פארשטארקונגס-מעגליכקייט. צווייטנס, דעם אופֿן אויך אַרבעט פֿאַר MOSFETs. אָבער עס זאָל זיין אנגעוויזן אַז די אַרייַנשרייַב קעגנשטעל פון MOSFET איז הויך, און די ערלויבט ינדוסט וואָולטידזש פון די טויער G זאָל נישט זיין צו הויך, אַזוי טאָן ניט קניפּ די טויער גלייַך מיט דיין הענט. איר מוזן נוצן די ינסאַלייטיד שעפּן פון די שרויפנ - ציער צו פאַרבינדן די טויער מיט אַ מעטאַל רוט. , צו פאַרמייַדן די באַשולדיקונג ינדוסט דורך דעם מענטש גוף פון גלייך צוגעגעבן צו די טויער, קאָזינג טויער ברייקדאַון. דריט, נאָך יעדער מעזשערמאַנט, די GS פּויליש זאָל זיין קורץ-סירקויטעד. דאָס איז ווייַל עס וועט זיין אַ קליין סומע פון ​​אָפּצאָל אויף די GS קנופּ קאַפּאַסאַטער, וואָס בויען אַרויף די VGS וואָולטידזש. ווי אַ רעזולטאַט, די הענט פון די מעטער קען נישט רירן ווען מעסטן ווידער. דער בלויז וועג צו אָפּזאָגן די אָפּצאָל איז צו קורץ-קרייַז די אָפּצאָל צווישן די GS ילעקטראָודז.

4) ניצן קעגנשטעל מעזשערמאַנט אופֿן צו ידענטיפיצירן אַנמאַרקט MOSFETs

ערשטער, נוצן דעם אופֿן פון מעסטן קעגנשטעל צו געפֿינען צוויי פּינס מיט קעגנשטעל וואַלועס, ניימלי די מקור S און די פליסן ד. די רוען צוויי פּינס זענען דער ערשטער טויער G1 און די רגע טויער G2. שרייב אַראָפּ די קעגנשטעל ווערט צווישן די מקור S און די פליסן ד געמאסטן מיט צוויי פּרובירן פירט ערשטער. באַשטימען די פּרובירן לידז און מעסטן ווידער. שרייב אַראָפּ די געמאסטן קעגנשטעל ווערט. דער איינער מיט די גרעסערע קעגנשטעל ווערט געמאסטן צוויי מאָל איז די שוואַרץ פּרובירן פירן. די פארבונדן ילעקטראָוד איז די פליסן ד; די רויט פּרובירן פירן איז קאָננעקטעד צו די מקור S. די S און D פּויליש יידענאַפייד דורך דעם אופֿן קענען אויך זיין וועראַפייד דורך עסטימאַטינג די אַמפּלאַפאַקיישאַן פיייקייט פון די רער. אַז איז, די שוואַרץ פּרובירן פירן מיט גרויס אַמפּלאַפאַקיישאַן פיייקייט איז פארבונדן צו די ד פלאָקן; די רויט פּרובירן פירן איז פארבונדן צו דער ערד צו די 8-פלאָקן. די פּראָבע רעזולטאַטן פון ביידע מעטהאָדס זאָל זיין די זעלבע. נאָך דיטערמאַנינג די שטעלעס פון פליסן D און מקור S, ינסטאַלירן די קרייַז לויט די קאָראַספּאַנדינג שטעלעס פון D און S. אין אַלגעמיין, G1 און G2 וועט אויך זיין אַליינד אין סיקוואַנס. דאָס דיטערמאַנז די שטעלעס פון די צוויי טויערן G1 און G2. דאָס דיטערמאַנז די סדר פון די D, S, G1 און G2 פּינס.

5) ניצן די ענדערונג אין פאַרקערט קעגנשטעל ווערט צו באַשטימען די גרייס פון טראַנסקאָנדוקטאַנסע

ווען מעסטן די טראַנסקאָנדוקטאַנס פאָרשטעלונג פון VMOSN קאַנאַל ענכאַנסמאַנט MOSFET, איר קענען נוצן די רויט פּרובירן פירן צו פאַרבינדן די מקור S און די שוואַרץ פּרובירן פירן צו די פליסן D. דאָס איז עקוויוואַלענט צו לייגן אַ פאַרקערט וואָולטידזש צווישן די מקור און די פליסן. אין דעם צייַט, דער טויער איז עפענען קרייַז, און די פאַרקערט קעגנשטעל ווערט פון די רער איז זייער אַנסטייבאַל. אויסקלייַבן די אָום קייט פון די מולטימעטער צו די הויך קעגנשטעל קייט פון R × 10kΩ. אין דעם צייַט, די וואָולטידזש אין די מעטער איז העכער. ווען איר פאַרבינדן די גריד G מיט דיין האַנט, איר וועט געפֿינען אַז די פאַרקערט קעגנשטעל ווערט פון די רער ענדערונגען באטייטיק. די גרעסער די ענדערונג, די העכער די טראַנסקאָנדוקטאַנס ווערט פון די רער; אויב די טראַנסקאַנדאַקטאַנס פון די רער אונטער פּרובירן איז זייער קליין, נוצן דעם אופֿן צו מעסטן ווען, די פאַרקערט קעגנשטעל ענדערונגען ביסל.

 

פּריקאָשאַנז פֿאַר ניצן MOSFET

1) אין סדר צו נוצן MOSFET בעשאָלעם, די שיעור וואַלועס פון פּאַראַמעטערס אַזאַ ווי די דיסאַפּייטיד מאַכט פון די רער, די מאַקסימום פליסן-מקור וואָולטידזש, די מאַקסימום טויער-מקור וואָולטידזש און די מאַקסימום קראַנט קענען ניט זיין יקסידיד אין די קרייַז פּלאַן.

2) ווען ניצן פאַרשידן טייפּס פון MOSFET, זיי מוזן זיין פארבונדן צו די קרייַז אין שטרענג לויט מיט די פארלאנגט פאָרורטייל, און די פּאָולעראַטי פון די MOSFET פאָרורטייל מוזן זיין באמערקט. פֿאַר בייַשפּיל, עס איז אַ פּן קנופּ צווישן די טויער מקור און פליסן פון אַ קנופּ MOSFET, און די טויער פון אַ N-קאַנאַל רער קענען נישט זיין דורכויס בייאַסט; דער טויער פון אַ פּ-קאַנאַל רער קען נישט זיין נעגאַטיוו בייאַסט, אאז"ו ו.

3) ווייַל די אַרייַנשרייַב ימפּידאַנס פון MOSFET איז גאָר הויך, די פּינס מוזן זיין קורץ-סירקויטעד בעשאַס טראַנספּערטיישאַן און סטאָרידזש, און מוזן זיין פּאַקידזשד מיט מעטאַל שילדינג צו פאַרמייַדן פונדרויסנדיק ינדוסט פּאָטענציעל פון ברייקדאַון פון די טויער. אין באַזונדער, ביטע טאָן אַז MOSFET קענען ניט זיין געשטעלט אין אַ פּלאַסטיק קעסטל. עס איז בעסטער צו קראָם עס אין אַ מעטאַל קעסטל. אין דער זעלביקער צייַט, באַצאָלן ופמערקזאַמקייַט צו האַלטן די רער נעץ-דערווייַז.

4) כּדי צו פאַרמיידן אינדוקטיווע ברייקדאַון פון MOSFET טויער, אַלע פּרובירן ינסטראַמאַנץ, וואָרקבענטשעס, סאַדערינג ייערנז און סערקאַץ זיך מוזן זיין געזונט גראָונדעד; ווען סאַדערינג די פּינס, סאַדער די מקור ערשטער; איידער קאַנעקטינג צו די קרייַז, די רער אַלע פירן ענדס זאָל זיין קורץ-סירקויטעד צו יעדער אנדערער, ​​און די קורץ-סירקוטינג מאַטעריאַל זאָל זיין אַוועקגענומען נאָך וועלדינג איז געענדיקט; ווען רימוווינג די רער פון די קאָמפּאָנענט געשטעל, צונעמען מעטהאָדס זאָל זיין געניצט צו ענשור אַז דער מענטש גוף איז גראָונדעד, אַזאַ ווי ניצן אַ גראַונדינג רינג; פון קורס, אויב אַוואַנסירטע אַ גאַז-העאַטעד סאַדערינג אייַזן איז מער באַקוועם פֿאַר וועלדינג מאָספעץ און ינשורז זיכערקייַט; די רער מוזן נישט זיין ינסערטאַד אין אָדער פּולד אויס פון די קרייַז איידער די מאַכט איז אויסגעדרייט אַוועק. די אויבן זיכערהייט מיטלען מוזן זיין אכטונג צו ווען איר נוצן MOSFET.

5) ווען איר ינסטאַלירן MOSFET, באַצאָלן ופמערקזאַמקייט צו די ייַנמאָנטירונג שטעלע און פּרובירן צו ויסמיידן נאָענט צו די באַהיצונג עלעמענט; אין סדר צו פאַרמייַדן די ווייבריישאַן פון די רער פיטינגז, עס איז נייטיק צו פאַרשטייַפן די רער שאָל; ווען די שטיפט פירט זענען בענט, זיי זאָל זיין 5 מם גרעסער ווי די וואָרצל גרייס צו ענשור אַז די ויסמיידן בענדינג די פּינס און פאַרשאַפן לופט ליקאַדזש.

פֿאַר מאַכט MOSFETs, גוט היץ דיסיפּיישאַן טנאָים זענען פארלאנגט. ווייַל מאַכט MOSFETs זענען געניצט אונטער הויך מאַסע טנאָים, גענוג היץ סינקס מוזן זיין דיזיינד צו ענשור אַז די קאַסטן טעמפּעראַטור טוט נישט יקסיד די רייטאַד ווערט אַזוי אַז די מיטל קענען אַרבעטן סטאַביל און רילייאַבלי פֿאַר אַ לאַנג צייַט.

אין קורץ, צו ענשור די זיכער נוצן פון MOSFETs, עס זענען פילע זאכן צו באַצאָלן ופמערקזאַמקייט צו, און עס זענען אויך פאַרשידן זיכערקייַט מיטלען צו נעמען. די מערהייט פון פאַכמאַן און טעכניש פּערסאַנעל, ספּעציעל די מערהייַט פון עלעקטראָניש ענטוזיאַסץ, מוזן פאָרזעצן באזירט אויף זייער פאַקטיש סיטואַציע און נעמען פּראַקטיש וועגן צו נוצן MOSFETs בעשאָלעם און יפעקטיוולי.