MOSFETsזענען וויידלי געניצט. איצט עטלעכע גרויס-וואָג ינאַגרייטיד סערקאַץ זענען געניצט MOSFET, די יקערדיק פונקציע און BJT טראַנזיסטאָר, סוויטשינג און אַמפּלאַפאַקיישאַן. בייסיקלי, BJT טריאָוד קענען זיין געוויינט ווו עס קענען זיין געוויינט, און אין עטלעכע ערטער די פאָרשטעלונג איז בעסער ווי די טריאָדע.
אַמפּלאַפאַקיישאַן פון MOSFET
MOSFET און BJT טריאָדע, כאָטש ביידע סעמיקאַנדאַקטער אַמפּלאַפייער מיטל, אָבער מער אַדוואַנטידזשיז ווי די טריאָוד, אַזאַ ווי הויך אַרייַנשרייַב קעגנשטעל, דער סיגנאַל מקור כּמעט קיין קראַנט, וואָס איז קאַנדוסיוו צו די פעסטקייַט פון די אַרייַנשרייַב סיגנאַל. עס איז אַן אידעאל מיטל ווי אַ אַרייַנשרייַב בינע אַמפּלאַפייער, און אויך האט די אַדוואַנטידזשיז פון נידעריק ראַש און גוט טעמפּעראַטור פעסטקייַט. עס איז אָפט געניצט ווי אַ פּרעאַמפּליפיער פֿאַר אַודיאָ אַמפּלאַפאַקיישאַן סערקאַץ. אָבער, ווייַל עס איז אַ וואָולטידזש קאַנטראָולד קראַנט מיטל, די פליסן קראַנט איז קאַנטראָולד דורך די וואָולטידזש צווישן די טויער מקור, די אַמפּלאַפאַקיישאַן קאָואַפישאַנט פון נידעריק-אָפטקייַט טראַנסקאָנדוקטאַנסע איז בכלל נישט גרויס, אַזוי די אַמפּלאַפאַקיישאַן פיייקייט איז נעבעך.
סוויטשינג ווירקונג פון MOSFET
MOSFET איז געניצט ווי אַן עלעקטראָניש באַשטימען, ווייַל פון די קאַנדאַקטיוואַטי פון פּאָליאָן, עס איז ניט אַזאַ ווי BJT טריאָוד רעכט צו דער באַזע קראַנט און די אָפּצאָל סטאָרידזש ווירקונג, אַזוי די סוויטשינג גיכקייַט פון די MOSFET איז פאַסטער ווי די טריאָוד, ווי אַ סוויטשינג רער. איז אָפט געניצט פֿאַר הויך-אָפטקייַט הויך-קראַנט מאל, אַזאַ ווי סוויטשינג מאַכט סאַפּלייז געניצט אין די MOSFET אין די הויך-אָפטקייַט הויך-קראַנט שטאַט פון די אַרבעט. קאַמפּערד מיט BJT טריאָדע סוויטשיז, MOSFET סוויטשיז קענען אַרבעטן מיט קלענערער וואָולטידזשיז און קעראַנץ, און זענען גרינגער צו ויסשטימען אויף סיליציום ווייפערז, אַזוי זיי זענען וויידלי געניצט אין גרויס-וואָג ינאַגרייטיד סערקאַץ.
וואָס זענען די פּריקאָשאַנז ווען ניצןMOSFETs?
MOSFETs זענען מער יידל ווי טריאָדעס און קענען זיין לייכט דאַמידזשד דורך ימפּראַפּער נוצן, אַזוי ספּעציעל זאָרג זאָל זיין גענומען ווען איר נוצן זיי.
(1) עס איז נייטיק צו אויסקלייַבן די צונעמען טיפּ פון MOSFET פֿאַר פאַרשידענע נוצן מאל.
(2) MOSFETs, ספּעציעל ינסאַלייטיד טויער MOSFETs, האָבן אַ הויך אַרייַנשרייַב ימפּידאַנס, און זאָל זיין שאָרטיד צו יעדער ילעקטראָוד ווען ניט אין נוצן צו ויסמיידן שעדיקן צו די רער רעכט צו טויער ינדאַקטאַנס אָפּצאָל.
(3) די טויער מקור וואָולטידזש פון קנופּ מאָספעץ קענען ניט זיין ריווערסט, אָבער קענען זיין געראטעוועט אין די עפענען קרייַז שטאַט.
(4) אין סדר צו האַלטן די הויך אַרייַנשרייַב ימפּידאַנס פון די MOSFET, די רער זאָל זיין פּראָטעקטעד פון נעץ און האַלטן טרוקן אין די נוצן סוויווע.
(5) טשאַרדזשד אַבדזשעקץ (אַזאַ ווי סאַדערינג פּרעסן, פּרובירן ינסטראַמאַנץ, אאז"ו ו) אין קאָנטאַקט מיט די MOSFET דאַרפֿן צו זיין גראָונדעד צו ויסמיידן שעדיקן צו די רער. ספּעציעל ווען וועלדינג ינסאַלייטיד טויער MOSFET, לויט די מקור - טויער סאַקווענטשאַל סדר פון וועלדינג, עס איז בעסטער צו וועלד נאָך מאַכט אַוועק. די מאַכט פון סאַדערינג אייַזן צו 15 ~ 30 וו איז צונעמען, די וועלדינג צייט זאָל נישט יקסיד 10 סעקונדעס.
(6) ינסאַלייטיד טויער MOSFET קענען ניט זיין טעסטעד מיט אַ מולטימעטער, קענען נאָר זיין טעסטעד מיט אַ טעסטער, און בלויז נאָך אַקסעס צו די טעסטער צו באַזייַטיקן די קורץ-קרייַז וויירינג פון די ילעקטראָודז. ווען אַוועקגענומען, עס איז נייטיק צו קורץ קרייַז די ילעקטראָודז איידער באַזייַטיקונג צו ויסמייַדן טויער אָוווערכאַנג.
(7) ווען ניצןMOSFETsמיט סאַבסטרייט לידז, די סאַבסטרייט לידז זאָל זיין רעכט פארבונדן.
פּאָסטן צייט: אפריל 23-2024
