מאַכט צושטעלן סערקאַץ, אָדער מאַכט צושטעלן סערקאַץ אין די פעלד פון פּראַפּאַלשאַן, ינעוואַטאַבלי נוצןMOSFETs, וואָס זענען פון פילע טייפּס און האָבן פילע פאַנגקשאַנז. פֿאַר סוויטשינג מאַכט צושטעלן אָדער פּראַפּאַלשאַן אַפּלאַקיישאַנז, עס איז נאַטירלעך צו נוצן זייַן סוויטשינג פונקציע.
רעגאַרדלעסס פון N-טיפּ אָדער P-טיפּMOSFET, דער פּרינציפּ איז יסענשאַלי דער זעלביקער, MOSFET איז מוסיף צו די טויער פון די באַנדינג סוף פון די קראַנט צו רעגולירן די רעזולטאַט זייַט פון די פליסן קראַנט, MOSFET איז אַ וואָולטידזש קאַנטראָולד מיטל עס איז באזירט אויף די קראַנט צוגעגעבן צו די טויער אויף די מאַניפּיאַליישאַן פון די קעראַקטעריסטיקס פון די מיטל איז נישט פּראָנע צו באַשטימען ווי אַ טראַנזיסטאָר רעכט צו דער באַזע קראַנט געפֿירט דורך די positive אָפּצאָל סטאָרידזש ווירקונג, און דעריבער, אין די סוויטשינג אַפּלאַקיישאַן, די MOSFET סוויטשינג קורס זאָל זיין פאַסטער ווי די טראַנזיסטאָר. די סוויטשינג קורס זאָל זיין פאַסטער ווי די טריאָוד.
MOSFETקליין-קראַנט באַהיצונג ז
1, דער קרייַז פּרינציפּ פון די פּראָבלעם איז צו לאָזן די MOSFET אַרבעט אין די לינעאַר שטאַט פון אָפּעראַציע, אלא ווי אין די סוויטשינג סיטואַציע. דאָס איז אויך אַ סיבה פון MOSFET היץ. אויב די N-MOS סוויטשינג, ג-מדרגה אַפּערייטינג וואָולטידזש ווי די סוויטשינג מאַכט צושטעלן אַ ביסל V, אין סדר צו זיין גאָר אויף און אַוועק, P-MOS איז די אנדערע וועג אַרום. ניט גאָר אויף און אָנווער איז אויך גרויס ריזאַלטינג אין רעזולטאַט מאַכט דיסיפּיישאַן, די עקוויוואַלענט קרייַז דק כאַראַקטעריסטיש ימפּידאַנס איז גרעסערע, די אָנווער איז יקספּאַנדיד, אַזוי ו * איך איז אויך יקספּאַנדיד, דיפּלישאַן רעפּראַזענץ היץ. דאָס איז אויך די מערסט אַוווידיד פאַלש פּלאַן פּראָגראַם קאָנטראָל קרייַז.
2, די אָפטקייַט איז אויך הויך, דער הויפּט מאל צו פיל יאָג פון גאנץ באַנד, ריזאַלטינג אין אָפטקייַט ענכאַנסמאַנט, MOSFET אויף די יקספּאַנשאַן פון די קאַנסאַמשאַן, אַזוי די היץ אויך געוואקסן.
3, האט נישט טאָן גענוג היץ יקסקלוזשאַן פּלאַן פּראָגראַם, די קראַנט איז אויך הויך, MOSFET טאָלעראַנץ קראַנט ווערט, בכלל מוזן האַלטן גוט היץ יקסקלוזשאַן קענען זיין געטאן. דעריבער, ID איז נידעריקער ווי די העכער קראַנט, עס איז אויך מסתּמא צו היץ מער ערנסט, מוזן זיין גענוג צו אַרוישעלפן די היץ זינקען.
4, די סעלעקציע פון די MOSFET מאָדעל איז נישט ריכטיק, די רעזולטאַט מאַכט איז נישט ריכטיק, די MOSFET קעגנשטעל איז נישט גענומען אין חשבון, ריזאַלטינג אין די יקספּאַנשאַן פון די סוויטשינג כאַראַקטעריסטיש ימפּידאַנס.
MOSFET קליין קראַנט באַהיצונג איז מער ערנסט ווי צו סאָלווע?
1.באַקומען די MOSFET היץ יקסקלוזשאַן פּלאַן פּראָגראַם, אַרוישעלפן אַ זיכער נומער פון היץ סינקס.
2.פּאַסטע די היץ יקסקלוזשאַן קליי.
פּאָסטן צייט: יולי-11-2024
