דאָס איז אַ פּאַקידזשדMOSFETפּיראָעלעקטריק ינפרערעד סענסער. די רעקטאַנגגיאַלער ראַם איז די סענסינג פֿענצטער. די G שפּילקע איז דער ערד וואָקזאַל, די D שפּילקע איז די ינערלעך MOSFET פליסן, און די S שפּילקע איז די ינערלעך MOSFET מקור. אין דעם קרייַז, G איז פארבונדן צו ערד, D איז פארבונדן צו די positive מאַכט צושטעלן, ינפרערעד סיגנאַלז זענען אַרייַנשרייַב פון די פֿענצטער, און עלעקטריקאַל סיגנאַלז זענען רעזולטאַט פון S.
דין טויער ג
דער MOS שאָפער דער הויפּט פיעסעס די ראָלע פון ווייוועפאָרם פורעמונג און דרייווינג ענכאַנסמאַנט: אויב די G סיגנאַל וואַוועפאָרם פון דיMOSFETאיז נישט אַראָפאַנג גענוג, עס וועט פאַרשאַפן אַ גרויס סומע פון מאַכט אָנווער בעשאַס די סוויטשינג בינע. זייַן זייַט ווירקונג איז צו רעדוצירן די קרייַז קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט. די MOSFET וועט האָבן שטרענג היץ און זיין לייכט דאַמידזשד דורך היץ. עס איז אַ זיכער קאַפּאַסאַטאַנס צווישן MOSFETGS. אויב די ג סיגנאַל דרייווינג פיייקייט איז ניט גענוגיק, דאָס וועט עמעס ווירקן די וואַוועפאָרם שפּרינגען צייט.
קורץ-קרייַז די GS פלאָקן, אויסקלייַבן די ר × 1 מדרגה פון די מולטימעטער, פאַרבינדן די שוואַרץ פּרובירן פירן צו די S פלאָקן, און די רויט פּרובירן פירן צו די ד פלאָקן. די קעגנשטעל זאָל זיין אַ ביסל Ω צו מער ווי צען Ω. אויב מען טרעפט אז די קעגנשטעל פון א געוויסע שטיפט און זיינע צוויי שטיפטן זענען אומענדליך, און עס איז נאך אומענדליך נאכ'ן אויסטוישן די טעסט-ליד, ווערט באשטעטיגט אז דער שטיפט איז דער G-שטיק, ווייל ער איז אינסאלירט פון די אנדערע צוויי שטיפטן.
באַשטימען די מקור S און פליסן D
שטעלן די מולטימעטער צו R × 1 ק און מעסטן די קעגנשטעל צווישן די דריי פּינס ריספּעקטיוולי. ניצן די וועקסל פּרובירן פירן אופֿן צו מעסטן די קעגנשטעל צוויי מאָל. דער איינער מיט אַ נידעריקער קעגנשטעל ווערט (בכלל אַ ביסל טויזנט Ω צו מער ווי צען טויזנט Ω) איז די פאָרויס קעגנשטעל. אין דעם צייַט, די שוואַרץ פּרובירן פירן איז די S פלאָקן און די רויט פּרובירן פירן איז פארבונדן צו די ד פלאָקן. ווייַל פון פאַרשידענע פּראָבע טנאָים, די געמאסטן RDS (אויף) ווערט איז העכער ווי די טיפּיש ווערט געגעבן אין די מאַנואַל.
וועגןMOSFET
דער טראַנזיסטאָר האט N-טיפּ קאַנאַל אַזוי עס איז גערופן N-קאַנאַלMOSFET, אָדערנמאָס. P-Channel MOS (PMOS) FET אויך יגזיסץ, וואָס איז אַ PMOSFET וואָס איז קאַמפּאָוזד פון אַ לייטלי דאָפּט N-טיפּ באַקגאַטע און אַ P-טיפּ מקור און פליסן.
רעגאַרדלעסס פון N-טיפּ אָדער P-טיפּ MOSFET, זייַן אַרבעט פּרינציפּ איז יסענשאַלי די זעלבע. MOSFET קאָנטראָלס די קראַנט אין די פליסן פון די רעזולטאַט וואָקזאַל דורך די וואָולטידזש געווענדט צו די טויער פון די אַרייַנשרייַב וואָקזאַל. MOSFET איז אַ וואָולטידזש קאַנטראָולד מיטל. עס קאָנטראָלס די קעראַקטעריסטיקס פון די מיטל דורך די וואָולטידזש געווענדט צו די טויער. עס טוט נישט פאַרשאַפן די אָפּצאָל סטאָרידזש ווירקונג געפֿירט דורך די באַזע קראַנט ווען אַ טראַנזיסטאָר איז געניצט פֿאַר סוויטשינג. דעריבער, אין סוויטשינג אַפּלאַקיישאַנז,MOSFETsזאָל באַשטימען פאַסטער ווי טראַנזיסטערז.
די FET אויך באַקומען זיין נאָמען פון דעם פאַקט אַז זיין אַרייַנשרייַב (גערופן די טויער) אַפעקץ די קראַנט פלאָוינג דורך די טראַנזיסטאָר דורך פּראַדזשעקטינג אַן עלעקטריש פעלד אויף אַן ינסאַלייטינג שיכטע. אין פאַקט, קיין קראַנט פלאָוז דורך דעם ינסאַלייטער, אַזוי די GATE קראַנט פון די FET רער איז זייער קליין.
די מערסט פּראָסט FET ניצט אַ דין פּלאַסט פון סיליציום דייאַקסייד ווי אַן ינסאַלייטער אונטער די GATE.
דער טיפּ פון טראַנזיסטאָר איז גערופן אַ מעטאַל אַקסייד סעמיקאַנדאַקטער (MOS) טראַנזיסטאָר, אָדער, מעטאַל אַקסייד סעמיקאַנדאַקטער פעלד ווירקונג טראַנזיסטאָר (MOSFET). ווייַל MOSFETs זענען קלענערער און מער מאַכט עפעקטיוו, זיי האָבן ריפּלייסט בייפּאָולער טראַנזיסטערז אין פילע אַפּלאַקיישאַנז.
פּאָסטן צייט: נאוועמבער-10-2023
