PMOSFET, באקאנט ווי Positive Channel Metal Oxide Semiconductor, איז אַ ספּעציעל טיפּ פון MOSFET. די פאלגענדע איז אַ דיטיילד דערקלערונג פון PMOSFETs:
I. יקערדיק סטרוקטור און אַרבעט פּרינציפּ
1. יקערדיק סטרוקטור
PMOSFETs האָבן n-טיפּ סאַבסטרייץ און פּ-טשאַנאַלז, און זייער סטרוקטור באשטייט דער הויפּט פון אַ טויער (G), אַ מקור (S) און אַ פליסן (D). אויף די n-טיפּ סיליציום סאַבסטרייט, עס זענען צוויי פּ + מקומות וואָס דינען ווי מקור און פליסן, ריספּעקטיוולי, און זיי זענען פארבונדן צו יעדער אנדערער דורך די פּ-קאַנאַל. דער טויער איז ליגן אויבן די קאַנאַל און איז אפגעזונדערט פון דעם קאַנאַל דורך אַ מעטאַל אַקסייד ינסאַלייטינג שיכטע.
2. פּרינציפּן פון אָפּעראַציע
PMOSFETs אַרבעטן ענלעך צו NMOSFETs, אָבער מיט די פאַרקערט טיפּ פון קאַריערז. אין אַ PMOSFET, די הויפּט קעריערז זענען האָלעס. ווען אַ נעגאַטיוו וואָולטידזש איז געווענדט צו די טויער מיט רעספּעקט צו די מקור, אַ פּ-טיפּ פאַרקערט שיכטע איז געשאפן אויף די ייבערפלאַך פון די n-טיפּ סיליציום אונטער דעם טויער, וואָס סערוועס ווי אַ טרענטש קאַנעקטינג די מקור און פליסן. טשאַנגינג די טויער וואָולטידזש ענדערונגען די געדיכטקייַט פון האָלעס אין דעם קאַנאַל, דערמיט קאַנטראָולינג די קאַנדאַקטיוואַטי פון דעם קאַנאַל. ווען די טויער וואָולטידזש איז נידעריק גענוג, די געדיכטקייַט פון האָלעס אין די קאַנאַל ריטשאַז אַ הויך גענוג מדרגה צו לאָזן קאַנדאַקשאַן צווישן די מקור און פליסן; קאָנווערסעלי, דער קאַנאַל קאַץ אַוועק.
וו. קעראַקטעריסטיקס און אַפּלאַקיישאַנז
1. קעראַקטעריסטיקס
נידעריק מאָביליטי: פּ-קאַנאַל מאָס טראַנזיסטערז האָבן לעפיערעך נידעריק לאָך מאָביליטי, אַזוי די טראַנסקאַנדאַקטאַנס פון פּמאָס טראַנזיסטערז איז קלענערער ווי אַז פון נמאָס טראַנזיסטערז אונטער דער זעלביקער דזשיאַמאַטרי און אַפּערייטינג וואָולטידזש.
פּאַסיק פֿאַר נידעריק-גיכקייַט, נידעריק-אָפטקייַט אַפּלאַקיישאַנז: רעכט צו דער נידעריקער מאָביליטי, PMOS ינאַגרייטיד סערקאַץ זענען מער פּאַסיק פֿאַר אַפּלאַקיישאַנז אין נידעריק-גיכקייַט, נידעריק-אָפטקייַט געביטן.
קאַנדאַקשאַן טנאָים: די קאַנדאַקשאַן טנאָים פון PMOSFETs זענען פאַרקערט צו NMOSFETs, ריקוויירינג אַ טויער וואָולטידזש נידעריקער ווי די מקור וואָולטידזש.
- אַפּפּליקאַטיאָנס
הויך זייַט סוויטשינג: PMOSFETs זענען טיפּיקלי געניצט אין הויך זייַט סוויטשינג קאַנפיגיעריישאַנז ווו די מקור איז פארבונדן צו די positive צושטעלן און די פליסן איז פארבונדן צו די positive סוף פון די מאַסע. ווען די PMOSFET קאַנדאַקץ, עס קאַנעקץ די positive סוף פון די מאַסע צו די positive צושטעלן, אַלאַוינג קראַנט לויפן דורך די מאַסע. די קאַנפיגיעריישאַן איז זייער פּראָסט אין געביטן אַזאַ ווי מאַכט פאַרוואַלטונג און מאָטאָר דרייווז.
פאַרקערט פּראַטעקשאַן סערקאַץ: PMOSFETs קענען אויך זיין געוויינט אין פאַרקערט שוץ סערקאַץ צו פאַרמייַדן שעדיקן צו די קרייַז געפֿירט דורך פאַרקערט מאַכט צושטעלן אָדער לאָדן קראַנט באַקפלאָוו.
III. פּלאַן און קאַנסידעריישאַנז
1. טויער וואָולטידזש קאָנטראָל
ווען דיזיינינג PMOSFET סערקאַץ, גענוי קאָנטראָל פון די טויער וואָולטידזש איז פארלאנגט צו ענשור געהעריק אָפּעראַציע. זינט די קאַנדאַקשאַן טנאָים פון PMOSFETs זענען פאַרקערט צו די פון NMOSFETs, ופמערקזאַמקייט דאַרף זיין באַצאָלט צו די פּאָולעראַטי און גרייס פון די טויער וואָולטידזש.
2. מאַסע קשר
ווען קאַנעקטינג די מאַסע, עס איז נייטיק צו באַצאָלן ופמערקזאַמקייט צו די פּאָולעראַטי פון די מאַסע צו ענשור אַז די קראַנט פלאָוז ריכטיק דורך די PMOSFET און די ווירקונג פון די מאַסע אויף די פאָרשטעלונג פון די PMOSFET, אַזאַ ווי וואָולטידזש קאַפּ, מאַכט קאַנסאַמשאַן, עטק. , אויך דארף מען באטראכטן.
3. טעמפּעראַטור פעסטקייַט
די פאָרשטעלונג פון PMOSFETs איז זייער אַפעקטאַד דורך טעמפּעראַטור, אַזוי די ווירקונג פון טעמפּעראַטור אויף די פאָרשטעלונג פון PMOSFETs דאַרף זיין גענומען אין חשבון ווען דיזיינינג סערקאַץ, און קאָראַספּאַנדינג מיטלען צו פֿאַרבעסערן די טעמפּעראַטור פעסטקייַט פון די סערקאַץ.
4. שוץ סערקאַץ
אין סדר צו פאַרמייַדן PMOSFETs פון זיין דאַמידזשד דורך אָוווערקוררענט און אָוווערוואָולטידזש בעשאַס אָפּעראַציע, שוץ סערקאַץ אַזאַ ווי אָוווערקוררענט שוץ און אָווערוואָלטאַגע שוץ דאַרפֿן צו זיין אינסטאַלירן אין דעם קרייַז. די שוץ סערקאַץ קענען יפעקטיוולי באַשיצן די PMOSFET און פאַרברייטערן זיין דינסט לעבן.
אין קיצער, PMOSFET איז אַ טיפּ פון MOSFET מיט ספּעציעל סטרוקטור און ארבעטן פּרינציפּ. זיין נידעריק מאָביליטי און פּאַסיק פֿאַר נידעריק-גיכקייַט, נידעריק-אָפטקייַט אַפּלאַקיישאַנז מאַכן עס וויידלי אָנווענדלעך אין ספּעציפיש פעלדער. ווען דיזיינינג PMOSFET סערקאַץ, ופמערקזאַמקייט דאַרף זיין באַצאָלט צו טויער וואָולטידזש קאָנטראָל, מאַסע קאַנעקשאַנז, טעמפּעראַטור פעסטקייַט און שוץ סערקאַץ צו ענשור געהעריק אָפּעראַציע און רילייאַבילאַטי פון די קרייַז.
פּאָסטן צייט: סעפטעמבער 15-2024