עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ האָבן עלעקטריקאַל פּאַראַמעטערס, און עס איז וויכטיק צו לאָזן גענוג גרענעץ פֿאַר די עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ ווען סאַלעקטינג די טיפּ צו ענשור די פעסטקייַט און לאַנג-טערמין אָפּעראַציע פון די עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ. ווייַטער בעקיצער באַקענען די Triode און MOSFET סעלעקציע אופֿן.
טריאָדע איז אַ לויפן-קאַנטראָולד מיטל, MOSFET איז אַ וואָולטידזש-קאַנטראָולד מיטל, עס זענען סימאַלעראַטיז צווישן די צוויי, אין די סעלעקציע פון די נויטיק צו באַטראַכטן די וויטסטאַנד וואָולטידזש, קראַנט און אנדערע פּאַראַמעטערס.
1, לויט צו די מאַקסימום וויטסטאַנד וואָולטידזש סעלעקציע
טריאָדע קאַלעקטער C און עמיטטער E קענען וויטסטאַנד די מאַקסימום וואָולטידזש צווישן די פּאַראַמעטער V (בר) סעאָ, די וואָולטידזש צווישן די סע בעשאַס אָפּעראַציע זאָל נישט יקסיד די ספּעסיפיעד ווערט, אַנדערש טריאָדע וועט זיין פּערמאַנאַנטלי דאַמידזשד.
די מאַקסימום וואָולטידזש איז אויך צווישן די פליסן D און די מקור S פון די MOSFET בעשאַס נוצן, און די וואָולטידזש אַריבער DS בעשאַס אָפּעראַציע זאָל נישט יקסיד די ספּעסיפיעד ווערט. בכלל גערעדט, די וואָולטידזש וויטסטאַנד ווערט פוןMOSFETאיז פיל העכער ווי טריאָדע.
2, די מאַקסימום אָווערקוררענט פיייקייַט
טריאָדע האט יקם פּאַראַמעטער, דאס הייסט, קאַלעקטער אָווערקוררענט פיייקייט, און די אָווערקוררענט פיייקייט פון MOSFET איז אויסגעדריקט אין טערמינען פון שייַן. ווען די קראַנט אָפּעראַציע, די קראַנט פלאָוינג דורך די Triode / MOSFET קענען נישט יקסיד די ספּעסיפיעד ווערט, אַנדערש די מיטל וועט זיין פארברענט.
קאָנסידערינג די אַפּערייטינג פעסטקייַט, אַ גרענעץ פון 30% -50% אָדער אפילו מער איז בכלל ערלויבט.
3,אַפּערייטינג טעמפּעראַטור
געשעפט-מיינונג טשיפּס: אַלגעמיין קייט פון 0 צו +70 ℃;
ינדוסטריאַל-מיינונג טשיפּס: אַלגעמיין קייט פון -40 צו +85 ℃;
מיליטער מיינונג טשיפּס: אַלגעמיין קייט פון -55 ℃ צו +150 ℃;
ווען איר מאַכן MOSFET סעלעקציע, קלייַבן די צונעמען שפּאָן לויט די נוצן פון דעם פּראָדוקט.
4, לויט די סוויטשינג אָפטקייַט סעלעקציע
ביידע טריאָדע אוןMOSFETהאָבן פּאַראַמעטערס פון סוויטשינג אָפטקייַט / ענטפער צייט. אויב געניצט אין הויך-אָפטקייַט סערקאַץ, די ענטפער צייט פון די סוויטשינג רער מוזן זיין קאַנסידערד צו טרעפן די באדינגונגען פון נוצן.
5,אנדערע סעלעקציע באדינגונגען
פֿאַר בייַשפּיל, די ראָן פּאַראַמעטער אויף קעגנשטעל פון די MOSFET, די VTH קער-אויף וואָולטידזש פון דיMOSFET, און אזוי ווייטער.
אַלעמען אין די MOSFET סעלעקציע, איר קענען פאַרבינדן די אויבן ווייזט פֿאַר סעלעקציע.
פּאָסטן צייט: אפריל 27-2024
