אָלוקיי דערקלערט די פּאַראַמעטערס פון MOSFET פֿאַר איר!

ווי איינער פון די מערסט יקערדיק דעוויסעס אין די סעמיקאַנדאַקטער פעלד, MOSFET איז וויידלי געניצט אין ביידע IC פּלאַן און ברעט-מדרגה קרייַז אַפּלאַקיישאַנז. אַזוי ווי פיל טאָן איר וויסן וועגן די פאַרשידן פּאַראַמעטערס פון MOSFET? ווי אַ מומכע אין מיטל און נידעריק וואָולטידזש MOSFETs,אָלוקייוועט דערקלערן צו איר אין דעטאַל די פאַרשידן פּאַראַמעטערס פון MOSFETs!

VDSS מאַקסימום פליסן-מקור וויטסטאַנד וואָולטידזש

די פליסן-מקור וואָולטידזש ווען די פלאָוינג פליסן קראַנט ריטשאַז אַ ספּעציפיש ווערט (סערדזשיז שארף) אונטער אַ ספּעציפיש טעמפּעראַטור און טויער-מקור קורץ קרייַז. די פליסן-מקור וואָולטידזש אין דעם פאַל איז אויך גערופן לאַווינע ברייקדאַון וואָולטידזש. VDSS האט אַ positive טעמפּעראַטור קאָואַפישאַנט. ביי -50 °C, VDSS איז בעערעך 90% פון אַז ביי 25 °C. רעכט צו דער פּענסיע יוזשאַוואַלי לינקס אין נאָרמאַל פּראָדוקציע, די לאַווינע ברייקדאַון וואָולטידזש פוןMOSFETאיז שטענדיק גרעסער ווי די נאָמינאַל רייטאַד וואָולטידזש.

אָלוקיי ס וואַרעם דערמאָנונג: אין סדר צו ענשור פּראָדוקט רילייאַבילאַטי, אונטער די ערגסט אַרבעט טנאָים, עס איז רעקאַמענדיד אַז די אַרבעט וואָולטידזש זאָל נישט יקסיד 80 ~ 90% פון די רייטאַד ווערט.

VGSS מאַקסימום טויער-מקור וויטסטאַנד וואָולטידזש

עס רעפערס צו די VGS ווערט ווען די פאַרקערט קראַנט צווישן טויער און מקור הייבט צו פאַרגרעסערן שארף. יקסיד דעם וואָולטידזש ווערט וועט פאַרשאַפן דיעלעקטריק ברייקדאַון פון די טויער אַקסייד שיכטע, וואָס איז אַ דעסטרוקטיווע און יריווערסאַבאַל ברייקדאַון.