פֿאַרשטיין די אַרבעט פּרינציפּ פון MOSFET און צולייגן עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ מער יפישאַנטלי

ווען די טויער-מקור וואָולטידזש (VGS) פון די MOSFET איז נול, אפילו מיט די אַפּלאַקיישאַן פון אַ פליסן-מקור וואָולטידזש (VDS), עס איז שטענדיק אַ פּן קנופּ אין פאַרקערט פאָרורטייל, ריזאַלטינג אין קיין קאַנדאַקטיוו קאַנאַל (און קיין קראַנט) צווישן די פליסן און מקור פון די MOSFET. אין דעם שטאַט, די פליסן קראַנט (שייַן) פון די MOSFET איז נול. אַפּלייינג אַ positive וואָולטידזש צווישן די טויער און מקור (VGS> 0) קריייץ אַן עלעקטריש פעלד אין די סיאָ 2 ינסאַלייטינג שיכטע צווישן די טויער פון די MOSFET און די סיליציום סאַבסטרייט, דירעקטעד פֿון די טויער צו די פּ-טיפּ סיליציום סאַבסטרייט. געגעבן אַז די אַקסייד שיכטע איז ינסאַלייטינג, די וואָולטידזש געווענדט צו די טויער, VGS, קענען נישט דזשענערייט אַ קראַנט אין די MOSFET. אַנשטאָט, עס פארמען אַ קאַפּאַסאַטער אַריבער די אַקסייד שיכטע.

ווי VGS ביסלעכווייַז ינקריסיז, די קאַפּאַסאַטער טשאַרדזשיז אַרויף, קריייטינג אַן עלעקטריש פעלד. געצויגן דורך די positive וואָולטידזש בייַ די טויער, פילע עלעקטראָנס אַקיומיאַלייט אויף די אנדערע זייַט פון די קאַפּאַסאַטער, פאָרמינג אַ N-טיפּ קאַנדאַקטיוו קאַנאַל פון די פליסן צו די מקור אין די MOSFET. ווען VGS יקסידז די שוועל וואָולטידזש VT (טיפּיקלי אַרום 2V), די N-קאַנאַל פון די MOSFET קאַנדאַקץ, ינישיייטינג די לויפן פון פליסן קראַנט שייַן. דער טויער-מקור וואָולטידזש אין וואָס דער קאַנאַל סטאַרץ צו פאָרעם איז ריפערד צו ווי די שוועל וואָולטידזש VT. דורך קאַנטראָולינג די גרייס פון VGS, און דעריבער די עלעקטריק פעלד, די גרייס פון די פליסן קראַנט שייַן אין די MOSFET קענען זיין מאַדזשאַלייטיד.