וואָס איז אַ MOSFET? וואָס זענען די הויפּט פּאַראַמעטערס?

ווען דיזיינינג אַ סוויטשינג מאַכט צושטעלן אָדער מאָטאָר פאָר קרייַז ניצןMOSFETs, סיבות אַזאַ ווי די אויף-קעגנשטעל, מאַקסימום וואָולטידזש און מאַקסימום קראַנט פון די מאָס זענען בכלל געהאלטן.

MOSFET טובז זענען אַ טיפּ פון FET וואָס קענען זיין פאַבריקייטיד ווי ענכאַנסמאַנט אָדער דיפּלישאַן טיפּ, פּ-קאַנאַל אָדער N-קאַנאַל פֿאַר אַ גאַנץ פון 4 טייפּס. ענכאַנסמאַנט NMOSFETs און ענכאַנסמאַנט PMOSFETs זענען בכלל געניצט, און די צוויי זענען יוזשאַוואַלי דערמאנט.

די צוויי זענען מער קאַמאַנלי געניצט איז NMOS. די סיבה איז אַז די קאַנדאַקטיוו קעגנשטעל איז קליין און גרינג צו פּראָדוצירן. דעריבער, NMOS איז יוזשאַוואַלי געניצט אין סוויטשינג מאַכט צושטעלן און מאָטאָר פאָר אַפּלאַקיישאַנז.

ין די MOSFET, אַ טהיריסטאָר איז געשטעלט צווישן די פליסן און די מקור, וואָס איז זייער וויכטיק אין דרייווינג ינדוקטיווע לאָודז אַזאַ ווי מאָטאָרס, און איז בלויז פאָרשטעלן אין אַ איין MOSFET, ניט יוזשאַוואַלי אין אַ ינאַגרייטיד קרייַז שפּאָן.

פּעראַסיטיק קאַפּאַסאַטאַנס יגזיסץ צווישן די דריי פּינס פון די MOSFET, ניט אַז מיר דאַרפֿן עס, אָבער רעכט צו לימיטיישאַנז פון די מאַנופאַקטורינג פּראָצעס. די בייַזייַן פון פּעראַסיטיק קאַפּאַסאַטאַנס מאכט עס מער קאַמבערסאַם ווען דיזיינינג אָדער סאַלעקטינג אַ שאָפער קרייַז, אָבער עס קענען ניט זיין אַוווידיד.

די הויפּט פּאַראַמעטערס פוןMOSFET

1, עפענען וואָולטידזש ווט

עפענען וואָולטידזש (אויך באקאנט ווי די שוועל וואָולטידזש): אַזוי אַז די טויער וואָולטידזש פארלאנגט צו אָנהייבן פאָרמינג אַ קאַנדאַקטיוו קאַנאַל צווישן די מקור ז און פליסן ד; נאָרמאַל ען-קאַנאַל מאָספעט, ווט איז וועגן 3 ~ 6וו; דורך פּראָצעס ימפּרווומאַנץ, די MOSFET VT ווערט קענען זיין רידוסט צו 2 ~ 3 וו.

2, דק אַרייַנשרייַב קעגנשטעל רגס

די פאַרהעלטעניש פון די וואָולטידזש צוגעגעבן צווישן די טויער מקור פלאָקן און די טויער קראַנט דעם כאַראַקטעריסטיש איז מאל אויסגעדריקט דורך די טויער קראַנט פלאָוינג דורך די טויער, די MOSFET ס RGS קענען לייכט יקסיד 1010Ω.

3. פליסן מקור ברייקדאַון בודס וואָולטידזש.

אונטער די צושטאַנד פון VGS = 0 (ענכאַנסט), אין דעם פּראָצעס פון ינקריסינג די פליסן-מקור וואָולטידזש, ID ינקריסיז שארף ווען די VDS איז גערופן די פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש BVDS, ID ינקריסיז שארף רעכט צו צוויי סיבות: (1) לאַווינע ברייקדאַון פון די דיפּלישאַן שיכטע לעבן די פליסן, (2) דורכדרונג ברייקדאַון צווישן די פליסן און מקור פּויליש, עטלעכע MOSFETs, וואָס האָבן אַ קירצער טרענטש לענג, פאַרגרעסערן די VDS אַזוי אַז די פליסן שיכטע אין די פליסן געגנט איז יקספּאַנדיד צו די מקור געגנט, מאכן די קאַנאַל לענג איז נול, דאָס איז, צו פּראָדוצירן אַ פליסן-מקור דורכדרונג, דורכדרונג, רובֿ פון די קאַריערז אין די מקור געגנט וועט זיין גלייַך געצויגן דורך די עלעקטריק פעלד פון די דיפּלישאַן שיכטע צו די פליסן געגנט, ריזאַלטינג אין אַ גרויס שייַן.

4, טויער מקור ברייקדאַון וואָולטידזש בווגס

ווען די טויער וואָולטידזש איז געוואקסן, די VGS ווען די IG איז געוואקסן פֿון נול איז גערופן די טויער מקור ברייקדאַון וואָולטידזש BVGS.

5,נידעריק אָפטקייַט טראַנסקאָנדוקטאַנסע

ווען VDS איז אַ פאַרפעסטיקט ווערט, די פאַרהעלטעניש פון די מיקראָוואַריאַטיאָן פון די פליסן קראַנט צו די מיקראָוואַראַטיאָן פון די טויער מקור וואָולטידזש וואָס ז די ענדערונג איז גערופן טראַנסקאָנדוקטאַנסע, וואָס ריפלעקס די פיייקייט פון די טויער מקור וואָולטידזש צו קאָנטראָלירן די פליסן קראַנט, און איז אַ וויכטיק פּאַראַמעטער אַז קעראַקטערייזאַז די אַמפּלאַפאַקיישאַן פיייקייַט פון דיMOSFET.

6, אויף-קעגנשטעל ראָן

אויף-קעגנשטעל RON ווייזט די ווירקונג פון VDS אויף ID, איז די פאַרקערט פון די שיפּוע פון ​​די טאַנדזשאַנט שורה פון די פליסן קעראַקטעריסטיקס אין אַ זיכער פונט, אין די זעטיקונג געגנט, ID כּמעט נישט טוישן מיט די VDS, RON איז אַ זייער גרויס ווערט, בכלל אין די טענס פון קילאָ-אָום צו הונדערטער פון קילאָ-אָום, ווייַל אין דיגיטאַל סערקאַץ, MOSFETs אָפט אַרבעט אין די שטאַט פון די קאַנדאַקטיוו וודס = 0, אַזוי אין דעם פונט, די אויף-קעגנשטעל RON קענען זיין דערנענטערנ זיך דורך די אָנהייב פון די RON צו דערנענטערנ זיך, פֿאַר אַלגעמיין MOSFET, RON ווערט ין אַ ביסל הונדערט אָומז.

7, ינטער-פּאָולער קאַפּאַסאַטאַנס

ינטערפּאָלאַר קאַפּאַסאַטאַנס יגזיסץ צווישן די דריי ילעקטראָודז: טויער מקור קאַפּאַסאַטאַנס קגס, טויער פליסן קאַפּאַסאַטאַנס קגד און פליסן מקור קאַפּאַסאַטאַנס קדס-קגס און קגד איז וועגן 1 ~ 3 פּף, קדס איז וועגן 0.1 ~ 1 פּף.

8,נידעריק אָפטקייַט ראַש פאַקטאָר

ראַש איז געפֿירט דורך ירעגיאַלעראַטיז אין די באַוועגונג פון קאַריערז אין די רערנ - ליניע. ווייַל פון זייַן בייַזייַן, ירעגיאַלער וואָולטידזש אָדער קראַנט ווערייישאַנז פאַלן ביי דער רעזולטאַט אפילו אויב די אַמפּלאַפייער איז קיין סיגנאַל איבערגעגעבן. ראַש פאָרשטעלונג איז יוזשאַוואַלי אויסגעדריקט אין טערמינען פון ראַש פאַקטאָר נף. דער אַפּאַראַט איז דעסאַבאַל (דב). דער קלענערער די ווערט, די ווייניקער ראַש די רער טראגט. די נידעריק-אָפטקייַט ראַש פאַקטאָר איז דער ראַש פאַקטאָר געמאסטן אין די נידעריק-אָפטקייַט קייט. דער ראַש פאַקטאָר פון אַ פעלד ווירקונג רער איז וועגן אַ ביסל דב, ווייניקער ווי אַז פון אַ בייפּאָולער טריאָדע.