פארוואס זענען MOSFETs וואָולטידזש קאַנטראָולד?

MOSFETs (מעטאַל אַקסייד סעמיקאַנדאַקטער פיעלד אַפעקט טראַנזיסטאָרס) זענען גערופן וואָולטידזש קאַנטראָולד דעוויסעס, דער הויפּט ווייַל זייער אָפּעראַציע פּרינציפּ רילייז דער הויפּט אויף די קאָנטראָל פון די טויער וואָולטידזש (Vgs) איבער די פליסן קראַנט (יד), אלא ווי פאַרלאָזנ אויף די קראַנט צו קאָנטראָלירן עס, ווי איז דער פאַל מיט בייפּאָולער טראַנזיסטערז (אַזאַ ווי BJTs). די פאלגענדע איז אַ דיטיילד דערקלערונג פון די MOSFET ווי אַ וואָולטידזש קאַנטראָולד מיטל:

אַרבעט פּרינציפּ

טויער וואָולטידזש קאָנטראָל:די האַרץ פון אַ MOSFET ליגט אין די סטרוקטור צווישן זייַן טויער, מקור און פליסן, און אַ ינסאַלייטינג שיכטע (יוזשאַוואַלי סיליציום דייאַקסייד) אונטער דעם טויער. ווען אַ וואָולטידזש איז געווענדט צו די טויער, אַן עלעקטריש פעלד איז באשאפן אונטער די ינסאַלייטינג שיכטע, און דאָס פעלד ענדערונגען די קאַנדאַקטיוואַטי פון די געגנט צווישן די מקור און פליסן.

קאַנדאַקטיוו קאַנאַל פאָרמירונג:פֿאַר N-קאַנאַל MOSFETs, ווען די טויער וואָולטידזש Vgs איז הויך גענוג (אויבן אַ ספּעציפיש ווערט גערופן די שוועל וואָולטידזש Vt), עלעקטראָנס אין די P-טיפּ סאַבסטרייט ונטער דעם טויער זענען געצויגן צו די אַנדערסייד פון די ינסאַלייטינג שיכטע, און פאָרעם אַ N- טיפּ קאַנדאַקטיוו קאַנאַל וואָס אַלאַוז קאַנדאַקטיוואַטי צווישן די מקור און פליסן. קאָנווערסעלי, אויב Vgs איז נידעריקער ווי Vt, די קאַנדאַקטינג קאַנאַל איז נישט געשאפן און די MOSFET איז ביי קאַטאָף.

ויסמעקן קראַנט קאָנטראָל:די גרייס פון די פליסן קראַנט ID איז דער הויפּט קאַנטראָולד דורך די טויער וואָולטידזש Vgs. וואס העכער די Vgs, די ברייטער קאַנדאַקטינג קאַנאַל איז געשאפן, און די גרעסערע די פליסן קראַנט ID. די שייכות אַלאַוז די MOSFET צו שפּילן ווי אַ וואָולטידזש קאַנטראָולד קראַנט מיטל.

פּיעזאָ טשאַראַקטעריזאַטיאָן אַדוואַנטאַגעס

הויך אַרייַנשרייַב ימפּידאַנס:די אַרייַנשרייַב ימפּידאַנס פון די MOSFET איז זייער הויך רעכט צו דער אפגעזונדערטקייט פון דעם טויער און די מקור-פליסן געגנט דורך אַן ינסאַלייטינג שיכטע, און די טויער קראַנט איז כּמעט נול, וואָס מאכט עס נוציק אין סערקאַץ ווו הויך אַרייַנשרייַב ימפּידאַנס איז פארלאנגט.

נידעריק ראַש:MOSFETs דזשענערייט לעפיערעך נידעריק ראַש בעשאַס אָפּעראַציע, לאַרגעלי רעכט צו זייער הויך אַרייַנשרייַב ימפּידאַנס און וניפּאָלאַר טרעגער קאַנדאַקשאַן מעקאַניזאַם.

שנעל סוויטשינג גיכקייַט:זינט MOSFETs זענען וואָולטידזש קאַנטראָולד דעוויסעס, זייער סוויטשינג גיכקייַט איז יוזשאַוואַלי פאַסטער ווי ביי בייפּאָולער טראַנזיסטערז, וואָס מוזן דורכגיין דעם פּראָצעס פון אָפּצאָל סטאָרידזש און מעלדונג בעשאַס סוויטשינג.

נידעריק מאַכט קאַנסאַמשאַן:אין די אויף שטאַט, די פליסן-מקור קעגנשטעל (RDS (אויף)) פון די MOSFET איז לעפיערעך נידעריק, וואָס העלפּס צו רעדוצירן מאַכט קאַנסאַמשאַן. אויך, אין די קאַטאָף שטאַט, די סטאַטיק מאַכט קאַנסאַמשאַן איז זייער נידעריק ווייַל די טויער קראַנט איז כּמעט נול.

אין קיצער, MOSFETs זענען גערופן וואָולטידזש קאַנטראָולד דעוויסעס ווייַל זייער אַפּערייטינג פּרינציפּ רילייז שווער אויף די קאָנטראָל פון די פליסן קראַנט דורך די טויער וואָולטידזש. דעם וואָולטידזש-קאַנטראָולד קוואַליטעט מאכט MOSFETs פּראַמאַסינג פֿאַר אַ ברייט קייט פון אַפּלאַקיישאַנז אין עלעקטראָניש סערקאַץ, ספּעציעל ווו הויך אַרייַנשרייַב ימפּידאַנס, נידעריק ראַש, שנעל סוויטשינג גיכקייַט און נידעריק מאַכט קאַנסאַמשאַן זענען פארלאנגט.